Корпорация Kioxia, мировой лидер в области устройств для памяти, сегодня провела церемонию закладки фундамента своего современного завода по производству полупроводников (Fab2) на своем заводе в Китаками в префектуре Иватэ, Япония. Используя передовое производство на основе искусственного интеллекта, новое предприятие будет способствовать возможному расширению производства собственной 3D-флэш-памяти BiCS FLASH на заводе в Китаками. Строительство объекта Fab2 планируется завершить в 2023 году. Объект Fab2 будет иметь сейсмостойкую конструкцию и экологически безопасный дизайн, в котором будет использоваться передовое энергосберегающее производственное оборудование и возобновляемые источники энергии. Кроме того, в связи с увеличением штата будет построено административное здание для размещения контрольно-управленческого и технического отделов.

В рамках своей миссии по улучшению мира с помощью памяти Kioxia сосредоточена на разработке инициатив по повышению конкурентоспособности своего бизнеса памяти и твердотельных накопителей, которые она развивала в течение последних 35 лет с момента изобретения флэш-памяти NAND в 1987 году.