Samsung первой в мире продемонстрировала технологию MRAM для вычислений в оперативной памяти

Компания Samsung объявила, что первой в мире продемонстрировала технологию MRAM (магниторезистивная оперативная память) для вычислений в оперативной памяти. Данные обычно хранятся в DRAM для быстрого доступа к ЦП. Однако MRAM меняет ситуацию и объединяет хранение данных и вычисления, позволяя и тому и другому выполняться на одном чипе. Теоретически в таком случае операции выполняются намного быстрее, так как нет необходимости передавать данные из памяти в процессор и наоборот.

Демонстрация является прорывом, потому что, хотя другие решения для вычислений в памяти, такие как PRAM и RRAM, были продемонстрированы, работающую MRAM было довольно сложно достичь, в основном из-за ее низкого сопротивления. Также было невозможно использовать преимущества энергоэффективности MRAM в стандартной архитектуре вычислений в памяти. Samsung сделала MRAM возможной благодаря собственной разработке чипа массива MRAM, который использует «сумму сопротивления» вместо стандартной «суммы тока», что решает проблему сопротивления. Технология была протестирована с запуском приложений ИИ, и она показало 98% точность классификации рукописных цифр и 93% точность распознавания лиц на изображениях. Samsung заявляет, что технологию MRAM можно использовать для обработки ИИ и для создания высокоэффективных чипов ИИ.