Алмаз на высшем уровне

Йонг Хан совместно с коллегами опробовал созданный ими девайс при генерируемой энергии нагрева в диапазоне от 10 до 120 ватт и протестировали чипы толщиной 100 и 200 микрометров. Рассеивая энергию нагрева, распределяющий тепло алмазный слой и микрокулер помогают поддерживать температуру структуры на уровне ниже 160 градусов Цельсия. Следует отметить, что максимальная температура чипа, охлаждаемого по новой технологии, на 27,3% ниже, чем температура другого девайса, в котором для распределения тепла используется медный слой, и на 40% ниже температуры девайса, в котором распределяющий тепло слой не применяется вообще. В дальнейшем результаты эксперимента были подтверждены термическим моделированием. Моделирование также показывает, что производительность может быть повышена еще больше с увеличением толщины алмазного слоя. Высокое качество соединения между чипом из нитрида галлия и алмазным распределителем тепла является значимым фактором, позволяющим обеспечить наилучшую производительность. Йонг Хан надеется, что удастся разработать новый жидкостный микрокулер с более высокими и более постоянными охлаждающими способностями и достигнуть результата в сфере использования алмазного слоя с высокой проводимостью тепла в электронных девайсах.