Новая методика изготовления полупроводниковых устройств
Далее небольшая капля полученной смеси наносилась на стеклянную пластину с заранее размещёнными на ней золотыми электродами. Для получения равномерного покрытия применялась так называемая методика центрифугирования. На заключительном этапе пластина с нанесённой на неё пленкой из полупроводниковых частиц помещалась на два часа в ванну с метанолом.
В результате учёным удалось создать полупроводниковое устройство со светочувствительным слоем толщиной в 800 нанометров. Примечательно, что при комнатной температуре такой фотодетектор демонстрировал примерно в десять раз более высокую чувствительность к инфракрасному излучению, нежели детекторы, применяющиеся в настоящее время в медицинском оборудовании и военных приборах ночного видения.
Предполагается, что в перспективе предложенная методика станет альтернативой традиционным способам производства полупроводниковых устройств, требующим больших затрат энергии и времени. Впрочем, об ориентировочных сроках практического применения новой технологии исследователи пока умалчивают.
ADATA Technology расширяет линейку B2B-предложений, интегрируя продукты, технологии и решения брендов TRU…
Первым устройством OpenAI, по данным Bloomberg, станет умная колонка, которая позволит пользователям обща…
Долгожданный анонс первого складного iPhone от Apple состоится уже в сентябре. По имеющимся данным, инжен…
Качество онлайн-обучения зависит не только от программы курса и квалификации преподавателя. Большую ро…
В мире современного производства металлообработка остаётся одной из ключевых дисциплин, определяющих к…
Функциональные возможности утёкшего в сеть программного обеспечения DLSS 5 для видеокарт NVIDIA GeForce R…
Неофициальный патч для The Elder Scrolls V: Skyrim внедрил раннюю версию нейронного рендеринга NVIDIA DLS…
NVIDIA официально уведомила, что занимается интеграцией нейронного рендеринга DLSS 5 в графические адапте…
