Новая методика изготовления полупроводниковых устройств

Канадские учёные из университета в Торонто предложили новую технологию, которая, как предполагается, позволит удешевить и ускорить процесс производства полупроводниковых устройств. В ходе экспериментов учёные в специальной ёмкости смешивали частицы полупроводникового материала с олеиновой кислотой сверхвысокой очистки. При этом частицы имели размер всего в несколько нанометров.

Далее небольшая капля полученной смеси наносилась на стеклянную пластину с заранее размещёнными на ней золотыми электродами. Для получения равномерного покрытия применялась так называемая методика центрифугирования. На заключительном этапе пластина с нанесённой на неё пленкой из полупроводниковых частиц помещалась на два часа в ванну с метанолом.

В результате учёным удалось создать полупроводниковое устройство со светочувствительным слоем толщиной в 800 нанометров. Примечательно, что при комнатной температуре такой фотодетектор демонстрировал примерно в десять раз более высокую чувствительность к инфракрасному излучению, нежели детекторы, применяющиеся в настоящее время в медицинском оборудовании и военных приборах ночного видения.

Предполагается, что в перспективе предложенная методика станет альтернативой традиционным способам производства полупроводниковых устройств, требующим больших затрат энергии и времени. Впрочем, об ориентировочных сроках практического применения новой технологии исследователи пока умалчивают.