В Intel разработали гибридный кремниевый лазер

Специалисты корпорации Intel совместно с исследователями из Калифорнийского университета объявили о разработке первого в мире гибридного кремниевого лазера, при производстве которого могут быть использованы стандартные методики. Достижение ученых, как ожидается, в перспективе приведет к появлению сверхмощных компьютеров и вычислительных центров.

Кремний уже не одно десятилетие используется при производстве микросхем и процессоров. Кремниевые чипы могут улавливать, перенаправлять и даже усиливать свет. Однако эффективно генерировать его такие микрочипы не способны. Поэтому в современном телекоммуникационном оборудовании широко применяется фосфид индия, обладающей хорошей способностью излучать свет. Эффективных же способов соединения кремния и фосфида индия до настоящего времени не существовало.

Проблему удалось решить специалистам Intel и команде ученых из Калифорнийского университета под руководством профессора Джона Бауэрса. Суть предложенной технологии сводится к соединению кремния и фосфида индия при помощи кислородной плазмы, создающий на поверхности каждого из материалов слой оксида толщиной всего в 25 атомов. При нагреве и соединении слои оксида играют роль клея, прочно соединяющего материалы.

В гибридном кремниевом лазере фосфид индия под воздействием электричества излучает свет, которым далее можно управлять при помощи кремниевого чипа. Теоретически технология позволяет встраивать в один микрочип десятки и даже сотни таких лазеров, которые обеспечат возможность обмена информацией между отдельными компонентами компьютера на очень высоких скоростях. Впрочем, вряд ли коммерциализация предложенной технологии начнется до конца текущего десятилетия.