Микрочипы памяти NAND от Intel и Micron

Компании Intel и Micron сообщили о достижении очередных успехов в сфере разработки и производства микрочипов флэш-памяти NAND. В ноябре 2005 года Intel и Micron, напомним, сформировали совместное предприятие IM Flash Technologies, специализирующееся на технологиях изготовления памяти NAND. На создание новой компании Micron и Intel выделили по 1,2 миллиарда долларов США. При этом Micron получила 51% акций совместного предприятия, а Intel - оставшиеся 49% ценных бумаг.

Как теперь сообщается, предприятие IM Flash Technologies начало пробные поставки передовых микрочипов NAND, выполненных по 50-нанометровой технологии с применением методики многоуровневых ячеек (Multi-Level Cell, MLC). Емкость микрочипов составляет 16 Гбит.

Предполагается, что новые микрочипы флэш-памяти NAND будут использоваться в цифровых фотоаппаратах, МР3-плеерах, сменных накопителях и портативных коммуникационных устройствах. В перспективе Intel и Micron намерены организовать производство флэш-памяти NAND с применением усовершенствованного техпроцесса с нормами менее 40 нанометров.

Стоит добавить, что в ближайшее время Intel планирует начать массовое производство модулей памяти с изменяемым фазовым состоянием (PRAM). Модули PRAM, обладающие высоким быстродействием и большим сроком службы, будут позиционироваться в качестве альтернативы широко распространенной флэш-памяти NOR.