AMD в разработке 22 нм процесса

SRAM-чип обычно становится первым полупроводниковым прибором для тестирования нового производственного процесса. Устройство было разработано и произведено AMD, Freescale, IBM, STMicroelectronics, Toshiba и Колледжем нанонаук и инженерии (CNSE) в традиционном 6-транзисторном исполнении на 300-мм подложке и имело ячейку памяти размером всего 0,1 мкм2, у процессора Intel с техпроцессом 45 нм ее размер составляет 0,346 мкм2.

22-нм чип станет основой для двух поколений в будущем, что позволит AMD догнать Intel с ее 45 нм. Intel представила первую 32-нм SRAM-ячейку в сентябре прошлого года и не ожидается, что компания представит SRAM-ячейку с техпроцессом 22 нм в течение следующего года. IBM говорит, что усиленно работает над своей 32-нм технологией, и обещает применить "ведущую 32-нм технологию с металлическим затвором и диэлектриком с высоким коэффициентом диэлектрической пропускаемости (high-K metal gate), которую ни одна компания или консорциум не смогут превзойти". Компания не представила дополнительной информации для обоснования этого утверждения, однако Intel уже внедряет high-K metal gate начиная с конца 2007 года в 45-нм процессорах.

Пока рано ожидать появления процессоров с техпроцессами 32 нм и 22 нм, но очевидно, что давление на Intel заметно возрастает. В будущем мы можем стать свидетелями интересной борьбы.