Пока в своих оценках влияния кризиса на бизнес компании представители Intel говорят только о возможностях снижения дохода, но обещают сохранить прежний график выпуска новых продуктов и перехода на новые ступени технологического продукта. Желая вселить в сердца клиентов и инвесторов уверенность в светлом будущем компании, сегодня Intel объявила о готовности начать производство 32 нм продуктов в четвёртом квартале 2009 года.
Что характерно, на этот раз Intel не приводит количественных характеристик первых 32 нм продуктов, упоминая только об увеличении плотности размещения транзисторов, повышении производительности и энергетической эффективности. Впрочем, все эти данные могут быть обнародованы на следующей неделе на профильном мероприятии по имени IEDM в Сан-Франциско.
При производстве 32 нм процессоров Intel будет использовать материалы с высоким значением диэлектрической константы (high-k) второго поколения, и впервые прибегнет к иммерсионной литографии на оборудовании с длиной волны лазера 193 нм. Последнюю технологию AMD применяет уже в рамках 45 нм техпроцесса, но она не использует так называемые high-k диэлектрики. На следующей неделе Intel продемонстрирует рабочий образец ячейки памяти типа SRAM плотностью 291 Мбит, выпущенный по 32 нм технологии, и работающий на частоте 3.8 ГГц. Одновременно Intel расскажет о своих наработках в области подготовки к переходу на 22 нм техпроцесс.
Напомним вам, что первые 32 нм процессоры Intel под кодовым обозначением Westmere будут использовать архитектуру Nehalem, и только в 2010 году 32 нм техпроцесс начнёт соседствовать с новой архитектурой, уже в рамках семейства процессоров Sandy Bridge.