Samsung работает над 1000-слойной памятью NAND

Специалисты отмечают, что изначально планы компании Samsung Electronics выпустить петабайтное хранилище данных казались слишком уж нереалистичными — для этого нужно создать уникальную систему производства чипов памяти, что на самом деле достаточно сложная задача. Но теперь, судя по информации инсайдеров, компания рассматривает возможность использования новых материалов, чтобы выпустить NAND-памяти с 1000 слоями. Собственно, только недавно журналисты сообщали о том, что компания планирует выпуск флэш-памяти V-NAND 9-го поколения, которая будет иметь 290 слоёв, наложенных друг на друга. Благодаря этому производителю удастся поставить новый рекорд на рынке, потому что у конкурентов такого набора чипов памяти нет. 

Также  южнокорейский гигант уже анонсировал память NAND с 430-слойным наложением — это 10-е поколение V-NAND, которое должны представить в следующем году. А теперь благодаря совершенно новому оборудованию компания Samsung Electronics планирует преодолеть рубеж в 1000 слоёв, что позволит существенно нарастить объём встроенной памяти. Но стоит сразу отметить, что пользователи такую память получат очень не скоро — нужно понимать, что в первую очередь настолько продвинутые чипы памяти будут задействованы в центрах обработки данных, где из них смогут выжать максимальную производительность с искусственным интеллектом, например. В обычных компьютерах такая память появится ещё не очень скоро — может даже не в этом десятилетии.