Интерес Intel к флэш-памяти с фазовым переходом.

Компания Samsung отчиталась об успехах в создании памяти с фазовым переходом. (PRAM) почти год назад. Предполагается, что через несколько лет этот тип энергонезависимой памяти заменит собой привычную нам NOR flash. PRAM будет иметь более высокую скорость, более высокую плотность записи, более высокую долговечность и более низкую себестоимость.

Компания Intel проявляет интерес к энергонезависимой памяти с фазовым переходом (Phase Change Memory). Для разработок в этой сфере будет создано совместное предприятие с компанией Numonyx, которая была оздана на базе бывшего подразделения Intel по производству флэш-памяти с привлечением ресурсов ST Microelectronics. Память типа PCM будет обладать большей долговечностью - примерно в 100 раз, а также будет отличаться повышенным быстродействием. Intel планирует использовать энергонезависимую память с фазовым переходом в твёрдотельных накопителях в составе многоядерных систем. По сути, такие накопители должны заменить привычные нам жёсткие диски в определённых сферах применения.

Память с фазовым переходом по принципу работы больше похожа на перезаписываемые оптические диски CD или DVD. Халькогенидный сплав (стеклообразный полупроводник) изменяет своё фазовое состояние под нагревом при помощи лазера: в кристаллической фазе он является проводником, в аморфной фазе он не проводит электрический ток. Пока технология хранения данных в такой памяти далека от совершенства - например, она чувствительна к колебаниям температур.