Samsung представили 30 Нм флэш-память

Южнокорейская компания Samsung официально сообщила о разработке первой микросхемы NAND флэш-памяти объемом 64 Гбит, при этом предусматривается использование 30-нм технологического процесса для серийного производства подобных устройств.
Для повышения емкости микросхем разработчики использовали многоуровневый дизайн (multi level cell - MLC), что одновременно с 30-нм техпроцессом позволяет говорить о высочайшей плотности записи данных, и приведет в конечном итоге к появлению гораздо более емких устройств хранения информации, в том числе и SSD-накопителей - использование всего шестнадцати микросхем позволит выпускать накопители объемом 128 Гбайт.

Для обеспечения возможности изготовления 30-нм микросхем флэш-памяти разработчики использовали новейшую технологию - Self-Aligned Double Patterning Technology (SaDPT), а также разработанную еще в 2006 году технологию Charge Trap Flash (CTF). Благодаря последней стало возможным изготовление микросхем флэш-памяти с технологическими нормами менее 50 нм.

Согласно информации от производителя серийное изготовление подобных устройств должно стартовать в 2009 году, при этом эта продукция будет пользоваться огромным спросом на рынке флэш-памяти - согласно отчетам аналитиков, объемы продаж микрочипов емкостью 64 Гбит и выше в 2009 - 2011 годах превысят отметку в 20 млрд. - весьма перспективный рынок для производителей флэш-памяти.