Создан возможный преемник кремниевых транзисторов

Китайский ученый Вэйсяо Хуан (Weixiao Huang) создал первый в мире транзистор на основе нитрида галлия GaN. По своим характеристикам он значительно превосходит используемые сегодня кремниевые аналоги и может работать в самых экстремальных условиях.

Разработанная Хуаном технология позволяет интегрировать на один чип несколько важных функций, что невозможно осуществить, используя кремний. Поэтому переход с кремниевых транзисторов на GaN-транзисторы позволит значительно упростить электронные схемы.

Также Хуан подчеркнул, что замена кремниевых транзисторов на аналогичные, но выполненные на основе нитрида галлия, позволит существенно уменьшить энергопотребление электроники. Это приведет к сокращению расходов топлива, а также к снижению уровня загрязнения окружающей среды.

Ученым давно было известно, что нитрид галлия, а также другие элементы на основе галлия, обладают лучшей электропроводностью, нежели кремний. Однако Вэйсяо Хуан оказался первым, кому удалось создать транзистор на основе нитрида галлия.

Ранее свою альтернативу кремниевому транзистору представили компании Intel и Qinetiq. Они разработали транзистор на основе антимонида индия. Однако для нормальной работы антимонид-индиевых транзисторов необходимы температуры не выше точки кипения жидкого азота, равной -196 градусам Цельсия.

Также в качестве потенциальной замены кремния в транзисторах рассматривается графен. Электроны в этом материале перемещаются гораздо быстрее, чем в кремнии. Графен был получен искусственным путем и является нестабильным по сравнению с другими изомерами углерода.