GaAs или арсенид галлия - новый материал из графена

В результате непрерывной работы, специалистам норвежской компании «CrayoNano» удалось сделать уникальный шаг, который в будущем может открыть путь к полупроводниковым приборам нового поколения.
Учёные научились в буквальном смысле «выращивать» на подложке из графена нити из арсенида галлия (GaAs), являющегося полупроводником. По словам специалистов, запатентованный гибридный материал имеет выдающиеся оптоэлектронные свойства.

Как заявил один из основателей CrayoNano, выступающего также в роли главного технического директора, в новом материале объединилась 3 главных фактора: низкая стоимость, оптическая прозрачность и механическая гибкость.Для того, чтобы вырастить на графене полупроводниковые нити, исследователи использовали технологию молекулярно-лучевой эпитаксии.

Ключевой особенностью этой технологии, основанной на эпитаксиальном росте в условиях сверхвысокого вакуума, является требование к подложке иметь высокочистую, гладкую на атомарном уровне поверхность. Графен удовлетворяет этому требованию, Причем его можно использован в качестве подложки не только для GaAs.

Солнечные батареи и светодиоды числятся под номер «1» в списке первых областей применения нового материала. В перспективе, материал новинка дает возможность интегрировать микромашины и электронные схемы с автономным питанием не только в привычные компьютеры и мобильные устройства, но и в одежду, аксессуары, предметы обихода.