\

SK hynix не будет задействовать мощности Intel для производства HBM памяти

SK hynix дала официальный ответ на появившиеся в СМИ сведения о том, что компания будто бы рассматривает Intel Foundry в качестве потенциального внешнего подрядчика для выпуска базовых кристаллов HBM. В своем заявлении производитель подчеркнул, что часть опубликованной информации не соответствует фактическому положению дел. При этом формулировка опровержения была выдержана в намеренно общих выражениях — в нем не уточняется, какие именно пункты были признаны недостоверными. По этой причине подобное заявление не стоит воспринимать как однозначное доказательство того, что переговоры с Intel вообще не велись или что вопрос о поиске альтернативных источников поставок не прорабатывался.

В контексте нового поколения памяти HBM4 роль базового кристалла претерпевает существенные изменения. Этот элемент теперь по своему характеру приближается к продукту, изготавливаемому по нормам логического полупроводникового производства. Именно базовый кристалл отвечает за организацию обмена данными между многослойным массивом DRAM и хост-ускорителем. В связи с этим на первый план выходят такие параметры, как технологический процесс, плотность межсоединений, уровень выхода годных кристаллов и способность к интеграции в общую конструкцию корпуса. Внешнее производство базовых кристаллов открывает доступ к передовым мощностям для выпуска логических схем, однако одновременно с этим возрастают издержки и усложняется управление всей цепочкой поставок.

Если бы контракт с Intel действительно был заключен, он имел бы заметное стратегическое значение для обеих сторон. Для Intel Foundry такой заказ означал бы получение крупного клиента, работающего в смежной области памяти, что укрепило бы позиции подразделения на рынке контрактного производства. Со стороны SK hynix подобное сотрудничество позволило бы снизить зависимость от действующих партнеров по выпуску логических микросхем и расширить производственную базу. Тем не менее квалификация такого продукта остается крайне сложной задачей. Базовый кристалл должен быть встроен в строго контролируемый стек HBM, а также пройти через передовые этапы корпусирования, что предъявляет повышенные требования к точности и воспроизводимости технологических операций.

Данное заявление появляется в момент, когда рынок HBM переживает стремительное расширение объемов поставок, вызванное активным распространением ускорителей для систем искусственного интеллекта. Производители памяти наращивают производственные мощности, одновременно стараясь удерживать высокие показатели выхода годной продукции и сохранять стабильную производительность. В сложившихся условиях информация о возможном сотрудничестве SK hynix и Intel Foundry пока остается лишь предметом обсуждения в отраслевых кругах. Пока ни одна из сторон не объявила о заключении конкретного контракта, эту историю следует рассматривать как неподтвержденное сообщение о потенциальных изменениях в структуре поставщиков, а не как официально зафиксированную победу на тендере.
Samsung будет размещать DRAM память над процессором…
Samsung обнародовала масштабный трехступенчатый план развития скоростной памяти нового поколения (HBM), з…
SK hynix не будет задействовать мощности Intel для производс…
SK hynix дала официальный ответ на появившиеся в СМИ сведения о том, что компания будто бы рассматривает …
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
2006-2026
© MegaObzor