SK hynix не будет задействовать мощности Intel для производства HBM памяти

SK hynix дала официальный ответ на появившиеся в СМИ сведения о том, что компания будто бы рассматривает Intel Foundry в качестве потенциального внешнего подрядчика для выпуска базовых кристаллов HBM. В своем заявлении производитель подчеркнул, что часть опубликованной информации не соответствует фактическому положению дел. При этом формулировка опровержения была выдержана в намеренно общих выражениях — в нем не уточняется, какие именно пункты были признаны недостоверными. По этой причине подобное заявление не стоит воспринимать как однозначное доказательство того, что переговоры с Intel вообще не велись или что вопрос о поиске альтернативных источников поставок не прорабатывался.

В контексте нового поколения памяти HBM4 роль базового кристалла претерпевает существенные изменения. Этот элемент теперь по своему характеру приближается к продукту, изготавливаемому по нормам логического полупроводникового производства. Именно базовый кристалл отвечает за организацию обмена данными между многослойным массивом DRAM и хост-ускорителем. В связи с этим на первый план выходят такие параметры, как технологический процесс, плотность межсоединений, уровень выхода годных кристаллов и способность к интеграции в общую конструкцию корпуса. Внешнее производство базовых кристаллов открывает доступ к передовым мощностям для выпуска логических схем, однако одновременно с этим возрастают издержки и усложняется управление всей цепочкой поставок.

Если бы контракт с Intel действительно был заключен, он имел бы заметное стратегическое значение для обеих сторон. Для Intel Foundry такой заказ означал бы получение крупного клиента, работающего в смежной области памяти, что укрепило бы позиции подразделения на рынке контрактного производства. Со стороны SK hynix подобное сотрудничество позволило бы снизить зависимость от действующих партнеров по выпуску логических микросхем и расширить производственную базу. Тем не менее квалификация такого продукта остается крайне сложной задачей. Базовый кристалл должен быть встроен в строго контролируемый стек HBM, а также пройти через передовые этапы корпусирования, что предъявляет повышенные требования к точности и воспроизводимости технологических операций.

Данное заявление появляется в момент, когда рынок HBM переживает стремительное расширение объемов поставок, вызванное активным распространением ускорителей для систем искусственного интеллекта. Производители памяти наращивают производственные мощности, одновременно стараясь удерживать высокие показатели выхода годной продукции и сохранять стабильную производительность. В сложившихся условиях информация о возможном сотрудничестве SK hynix и Intel Foundry пока остается лишь предметом обсуждения в отраслевых кругах. Пока ни одна из сторон не объявила о заключении конкретного контракта, эту историю следует рассматривать как неподтвержденное сообщение о потенциальных изменениях в структуре поставщиков, а не как официально зафиксированную победу на тендере.
Acer празднует полувековой юбилей…
В 2026 году тайваньская компания Acer празднует полувековой юбилей. За пятьдесят лет она эволюционировала…
CXMT запустили промышленное производство памяти LPDDR6…
CXMT запустила в серийное производство оперативную память LPDDR6. Это делает её модули LPDDR6 одними из п…
SK hynix не будет задействовать мощности Intel для производс…
SK hynix дала официальный ответ на появившиеся в СМИ сведения о том, что компания будто бы рассматривает …
Патент YMTC запрещает продажу памяти Micron NAND в Европе…
Региональный суд Мюнхена издал предварительное распоряжение, затрагивающее два патента YMTC, относящихся …
Как выбрать промышленный рукав: типы, рабочее давление и сто…
Гибкий трубопровод редко выходит из строя сам по себе. Чаще проблема в том, что рукав подобрали не под…
Доставка оборудования из Китая в Россию: как выбрать маршрут…
Импорт промышленного и технологического оснащения из КНР остается одним из ключевых направлений для ро…
Intel ищет возможности сотрудничества с AMD…
Согласно записи неформальной беседы с Китайско-американской ассоциацией специалистов по полупроводникам, …
Samsung будет размещать DRAM память над процессором…
Samsung обнародовала масштабный трехступенчатый план развития скоростной памяти нового поколения (HBM), з…
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
2006-2026
© MegaObzor