Компания Samsung Electronics Co., Ltd., мировой лидер в области передовых полупроводниковых технологий, объявила о разработке первой в отрасли 12-слойной технологии 3D-TSV (Through Silicon Via). Новая инновация считается одной из самых сложных технологий упаковки для массового производства высокопроизводительных чипов, поскольку она требует точности для вертикального соединения 12 микросхем DRAM через трехмерную конфигурацию из более чем 60000 отверстий TSV.

Толщина упаковки (720 мкм) остается такой же, как у современных 8-слойных продуктов High Bandwidth Memory-2 (HBM2), что является существенным преимуществом в разработке компонентов. Это поможет клиентам выпускать продукты нового поколения с высокой пропускной способностью и более высокой производительностью без необходимости изменения конфигурации системы. Кроме того, технология 3D-упаковки также отличается более коротким временем передачи данных между чипами, что приводит к значительно более высокой скорости и снижению энергопотребления.

Благодаря увеличению количества уложенных слоев с восьми до 12, Samsung вскоре сможет массово производить память с высокой пропускной способностью 24 гигабайта (ГБ) *, которая в три раза превышает емкость 8 ГБ памяти с высокой пропускной способностью на современном рынке. Samsung сможет удовлетворить быстро растущий рыночный спрос на высокопроизводительные решения HBM благодаря своей передовой 12-слойной технологии 3D TSV и надеется укрепить свое лидерство на рынке полупроводников премиум-класса.