Позавчера компания AMD сообщила в официальном пресс-релизе, что ей удалось в сотрудничестве с IBM определиться, какие технологии будут использоваться при производстве 0.045 мкм процессоров. Основных инноваций две: это иммерсионная литография с использованием глубокого ультрафиолета с длиной волны 193 нм и межсоединения со сверхнизким значением диэлектрической константы (ultra-low-k).
Первая из инноваций подразумевает использование специальной жидкости между проецирующей линзой литографического оборудования и кремниевой пластиной. Это позволяет улучшить фокус и повысить чёткость изображения, что положительно сказывается на качестве создаваемого микрочипа. Внедрение иммерсионной литографии такого типа в рамках 0.045 мкм техпроцесса обеспечивает повышение быстродействия ячейки памяти SRAM на 15%, как утверждают AMD и IBM.
Добавление межсоединений со сверхнизким значением диэлектрической константы позволяет повысить быстродействие микропроцессоров и снизить уровень энергопотребления. Опять же, по оценкам разработчиков, внедрение этой технологии позволит повысить быстродействие чипов на 15% по сравнению с обычными "low-k" диэлектриками.
AMD и IBM утверждают, что им удалось достичь самого высокого на сегодняшний день быстродействия для полупроводниковых продуктов, выпускаемых по 0.045 мкм техпроцессу. Точнее говоря, уместнее было бы сказать, что AMD и IBM рассчитывают достичь таких высоких показателей при производстве 0.045 мкм продуктов.
Отметим, что реальные процессоры могут использовать отнюдь не весь потенциал этих улучшений. Другими словами, серийные 0.045 мкм процессоры могут и не обеспечить прирост быстродействия в 30% по сравнению со своими технологическими аналогами, выпускаемыми без использования перечисленных ноу-хау.
Чуть больше года назад AMD продлила контракт с IBM до 2011 года, согласно которому последняя будет помогать AMD осваивать новые технологические процессы. Ожидается, что IBM и AMD смогут совместными усилиями подготовиться к переходу на 0.032 мкм и 0.022 мкм техпроцессы.