Революционная DRAM-память от IBM

Компания IBM на конференции International Solid State Circuits Conference сообщила о новом достижении собственных инженеров в области создания высокопроизводительной памяти eDRAM (Embedded Dynamic Random Access Memory). Использование новых технологий позволяет в три раза повысить емкость чипов памяти и вдвое повысить производительность DRAM-устройств.

Чипы eDRAM-памяти разработки IBM производятся по техпроцессу SOI (кремний-на-диэлектрике, Silicon-on-Insulator). И хотя на данный момент представленная память производилась по 65-нм техпроцессу, в будущем, во время начала массового изготовления, планирует перейти на 45 нанометров. Внедрить в производство eDRAM-чипы обещают в следующем году.

Среди нововведение, позволивших значительно повысить производительность чипов и снизить их размеры значатся - использование high-k-диэлектрика, медных проводников, сформированных непосредственно на кристалле, использование наряду с SOI-транзисторами и кремниево-германиевых полупроводниковых структур.

Характеристики прототипа eDRAM-чипа:

• размер ячейки памяти - 0,126 кв.мм;
• рабочее напряжение - 1 Вольт;
• емкость 2 Мбит;
• потребляемая мощность - 76 мВт;
• время цикла - 2 нс;
• латентность памяти - 1,5 нс.