Новая память сделает флешки в 1000 раз быстрее

Компании Intel и Micron на конференции IDF в Сан-Франциско представили новый вид памяти, которая способна обрабатывать информацию в 1000 раз быстрее, чем флеш-память NAND. По своей производительности память 3D XPoint практически сравнялась с оперативной памятью DRAM. В то же время новая память является энергонезависимой, то есть может сохранять данные даже при отключении питания. Это позволит в будущем делать накопители на ее основе - как флешки, так и хранилища данных для компьютеров. Анонсируя новый тип памяти, генеральный директор Intel Брайан Кржанич сравнил диск на основе технологии 3D XPoint с производительным хранилищем Intel SSD DC P3700. Благодаря новой структуре "перекрестной" адресации новая память работает в пять-семь раз быстрее одного из самых производительных накопителей.

Первые носители на основе 3D XPoint появятся на рынке уже в 2016 году.