LGA 1155 и оперативная память. Разгон оперативной памяти на LGA 1155

Наиболее популярным сокетом на сегодняшний день является LGA 1155, который подходит для установки таких популярных процессоров компании Intel, как Intel Sandy Bridge и Ivy Bridge. Для всех премудростей работы данных процессоров следует ознакомиться с их особенностями.
Самым важным является то, что данные процессоры имеют интегрированный контроллер оперативной памяти. Компания Intel длительное время не хотела повторяться за AMD и переносить контроллер оперативной памяти из северного моста в процессор. Но это случилось, так как решения Intel начали заметно отставать по уровню производительности от продукции AMD, таким образом, на свалку историй был отправлен сокет LGA 775, северный мост материнских плат которого содержал отдельный контроллер оперативной памяти. Интегрированный контроллер оперативной памяти вначале появился в рамках сокета LGA 1366, затем сокета LGA 1156, и, наконец, LGA 1155. На сегодняшний день все выпускаемые процессоры имеют интегрированный контроллер оперативной памяти. Каждый процессор умеет работать определенным набором делителей оперативной памяти, насколько они доступны пользователю - зависит исключительно от возможностей купленной материнской платы.


Устаревшими чипсетами, выпущенными еще во времена Intel Sandy Bridge являются Intel P67 Express и Intel Z68 Express. Оба чипсета умеют разгонять и работать с множителями оперативной памяти. Поддерживаются множители вплоть до 2133 Мгц. Данные множители выставляются в БИОСе материнской платы и в каждом случае данный пункт меню выглядит индивидуально.


Следует учитывать, что интегрированный в процессоры контроллер оперативной памяти процессоров Intel Ivy Bridge стал настолько умным, что начал контролировать температуру установленных планок оперативной памяти. Если контроллер посчитает, что температура планок превысило критическое значение - осуществляется сбрасывание рабочих частот путем уменьшения множителя, тем самым, обеспечивается безопасность вашего разгона. К сожалению, данная технология работает полноценно не во всех случаях и часто сбрасывание частот происходит при использовании оверклоккерских наборов модулей оперативной памяти, для которых работа с повышенным тепловыделением и при повышенном напряжении - является нормой. Бороться с данным явлением, которое пагубно влияет на результаты тестирования производительности, можно применяя специальные утилиты, например, Memory Throttle.

Если интегрированные контроллеры процессоров Intel Sandy Bridge поддерживали только оперативную память с частотой до 1333 Мгц, - все остальные режимы были доступны только в разгоне, то новое поколение процессоров Intel Ivy Bridge наконец-то получили официальную поддержку частоты в 1600 Мгц.

Последнее обстоятельство положительно сказалось на количестве множителей памяти, теперь при использовании процессоров Intel Ivy Bridge максимально установленная рабочая частота памяти может достигать 2667 Мгц.


К сожалению, большинство материнских плат для LGA 1155 позволяют разгонять оперативную память тлько с достаточно крупным шагом множителя. Одним из вариантом выхода является использование сертифицированных Intel модулей памяти XMP, которые заранее начинают работать при большей частоте с заранее установленными таймингами и повышенном напряжении.

Если сами процессоры Intel Sandy Bridge и Ivy Bridge разгоняются только при наличии свободного множителя в сторону повышения, то оперативная память может разгоняться и при использовании бюджетных процессоров без свободного множителя, т.е. без литеры "K" в индексе.


Для осуществления разгона оперативной памяти на платформе LGA 1155 необходимо контролировать три параметра - тайминги оперативной памяти, рабочее напряжение и установленный множитель.


Каждая планка оперативной памяти имеет свой SPD в котором хранятся ее возможные параметры работы. Для стандартных материнских плат без XMP предоставляется указанный выше набор настроек - частота с указанием рабочих таймингов. Все данные параметры предоставляются для работы памяти при стандартном напряжении в 1,5 вольта. Т.е. вы можете вручную выставить данные параметры вместо значений Auto в БИОСе материнской платы и компьютер должен работать как ни в чем не бывало.


Оверклоккерские модули оперативной памяти имеют дополнительные поля настроек Intel XMP, которые дают возможность материнской плате с поддержкой данных настроек осуществить автоматический разгон памяти. К сожалению, не у всех материнские платы обладают данным "даром", поэтому при наличии подобной памяти можно узнать значения профилей Intel XMP с помощью программ Everest Ultimate или AIDA64, а уже затем вручную вбить в настройки БИОСа материнской платы.


Тайминги оперативной памяти являются ключевыми ее параметрами - чем они ниже, тем быстрее память работает и, как правило, тем ниже ее рабочая стабильная частота. При осуществлении разгона оперативной памяти следует учитывать, что вместе с повышением таймингов растет и стабильная частота, главное найти ту тонкую грань, когда рост производительности от подобных соотношений перестает происходить. Опытным путем установлено, что наиболее важным таймингом является CL - от него больше всего зависит стабильная рабочая частота планок памяти.

Для осуществления разгона все тайминги памяти вручную фиксируются (устанавливаются) в БИОСе материнской платы, а затем путем повышения множителя - определяется максимальная стабильная частота. Стабильность работы системы определяется в одном из программных стресс-тестов, например, Prime95.

Как только достигается максимальная стабильная частота, имеет смысл попробывать повысить рабочий тайминг CL и произвести попытку дальнейшего повышения множителя. После достижения максимальной стабильной частоты следует провести несколько синтетических тестов, чтоб производительность оперативной памяти на новых частотах и таймингах оказалась выше, производительности при более низких таймингах и частоте.


Повысить стабильность работы разогнанных планок оперативной памяти можно путем дополнительного повышения рабочего напряжения. Лишь следует учитывать тот факт, что если при стандартном рабочем напряжении память DDR3 практически не греется, то с возрастанием напряжения она достаточно сильно нагревается, поэтому наличие радиаторов охлаждения и обдува будет только приветствоваться. Разумным пределом повышения напряжения следует считать цифру в 1,65 вольт.

Отдельно следует остановиться на тайминге Command Rate, который у процессоров Intel всегда должен находиться в значении 1T, только в данном режиме обеспечивается максимальная производительность. Благо, современная память DDR3 это позволяет. Но для достижения максимальной стабильной рабочей частоты имеет смыслы Command Rate установить как 2T.
Заключение
Наш длительный опыт работы с различной оперативной памятью в рамках платформы LGA 1155 позволяет констатировать тот факт, что быстрая память - это хорошо для синтетических тестов и нет никакой пользы от нее в тех же игровых приложениях. Но это только в том случае, если ваша память работает на частотах свыше 1600 Мгц и выше. Если ниже - производительность системы на сокете LGA 1155 снижается пропорционально частоте планок памяти.
Сотрудников Samsung арестовали в Южной Корее за кражу секрет…
Сегодня сразу несколько южнокорейских СМИ, включая Tech+ Japan (первоисточник данной информации) сообщили…
Чипы памяти DRAM принесут 136 миллиардов в 2025 году…
Судя по информации надёжных источников, спрос на DRAM-память и NAND Flash-чипы на текущий момент находитс…
SK Hynix представила передовую память GDDR7…
Сегодня компания SK Hynix объявила о том, что по плану её производственные мощности запустят массовое про…
Обзор и тесты ADATA Lancer Blade RGB DDR5-6400 32GB (AX5U640…
DDR5 стал негласным стандартом для игровых и рабочих сборок. Как и наиболее распространённым объемом в ак…
G.Skill представила новую память Trident Z5 Royal NEO…
Сегодня компания G.Skill официально представила свои новые модули оперативной памяти из линейки Trident Z…
ADATA Lancer Blade DDR5-6000 16GB обзор и тесты. Сколько опе…
Во время тестирования оперативной памяти мы не раз отмечали, что модули можно приобретать как комплектами…
Samsung представила невероятно тонкую оперативную память…
Сегодня компания Samsung официально анонсировала новый чип памяти LPDDR5X из сегмента DRAM, который являе…
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
2006-2024
© MegaObzor