Новый SATA SSD-накопитель

Новые 100-слойные SSD-накопители на 256 ГБ уже в скором времени начнут отгружаться OEM-производителям. Samsung также планирует во второй половине года выпустить 512-гигабитные чипы V-NAND SSD и e UFS.Кроме того, количество вертикальных отверстий, необходимых для создания чипа объёмом 256 Гбит, снизилось в сравнении с предыдущим поколением с 930 до 670 миллионов. Это позволило уменьшить размеры чипов и сократить количество этапов производства. Как результат, эффективность производства возрастает на более чем 20%.По мере увеличения высоты матрицы в каждой ячейке чипы NAND становятся уязвимее к возникновению ошибок и задержек чтения данных. Для решения этой проблемы Samsung внедрила оптимизированную по скорости конструкцию схемы, позволяющую достигать максимальной скорости передачи данных: менее 450 микросекунд (мкс) для операций записи и менее 45 мкс для операций чтения. В сравнении с предыдущим поколением это означает повышение производительности более чем на 10% и снижение энергопотребления на более чем 15%. Благодаря новой конструкции Samsung намерена начать выпускать накопители с более чем 300 слоями.V-NAND шестого поколения от Samsung отличается самой высокой в отрасли скоростью передачи данных. Используя технологию «травления каналов», компании удалось увеличить количество ячеек примерно на 40% в сравнении с предыдущей 9x-слойной структурой. Для этого производитель путём спайки нескольких монолитных кристаллов 3D NAND получил 136 слоёв.