Innosilicon объявила, что компания достигла стабильной скорости передачи данных в 10 000 Мбит/сек или 10 Гбит/с на своей памяти LPDDR5X DRAM. JEDEC официально устанавливает стандарт LPDDR5X на скорости 8533 Мбит/сек, а стандарт LPDDR5 — на 6400 Мбит/сек. Компания Innosilicon сделала шаг вперед и добилась крупного прорыва в собственной разработке памяти LPDDR5X DRAM. Китайский производитель микросхем достиг скорости 10 000 Мбит/сек (10 Гбит/сек) на памяти LPDDR5X/LPDDR5/DDR5. Это на 56% больше, чем у LPDDR5-6400, и на 17% больше, чем у стандартов LPDDR5X-8533. Благодаря этим скоростям компания также заметила снижение задержки на 15%, что делает его подходящим продуктом для связи 5G, автомобилей, периферийных вычислений с искусственным интеллектом и устройств AR/VR.

Innosilicon также завершила проверку серийного производства своей DRAM LPDDR5X с усовершенствованными узлами, такими как 5/7 нм и 12/14 нм. Это означает, что микросхемы высокоскоростной памяти теперь могут вступить в фазу массового производства. Безусловно, скорость 10 Гбит/сек — это определенно прорыв в скоростях DRAM, и мы можем ожидать появления первых устройств с такой высокоскоростной памятью уже в следующем году. Innosilicon также предлагает ряд других решений DRAM, таких как GDDR6/X, HBM3/2E и LPDDR5/X/4/4X (DDR5/DDR4). Вероятно, в ближайшем будущем эта скорость будет если не стандартом, то хотя бы тем, к чему стремятся все крупные производители электроники.