Samsung анонсировала память третьего поколения

Новая память Samsung "FlashBolt" HBM2E обеспечит вдвое большую емкость по сравнению с предыдущим поколением 8 Гб "Aquabolt" HBM2. Пропускная способность и энергоэффективность также возрастут, все это повысит производительность компьютерных систем.

Samsung разработала производство памяти по новой технологии. Инженеры компании вертикально уложила восемь слоев 16 Гб памяти DRAM поверх буферного чипа.

HBM2E "Flashbolt" обеспечит скорость передачи данных до 3,2 Гб/с и пропускную способность памяти 410 Гб/с, что в 1,7 раза превышает пропускную способность предыдущего поколения HBM2 "Aquabolt".
OpenAI выпустит умную колонку в 2027 году…
Первым устройством OpenAI, по данным Bloomberg, станет умная колонка, которая позволит пользователям обща…
Что такое вайб кодинг: как работает подход и с чего начать…
Вокруг темы много шума, но если убрать моду и мемы, останется полезный вопрос: можно ли реально собира…
СберЛизинг профинансировал покупку серверного оборудования с…
СберЛизинг совместно со Сбером закрыл сделку по лизингу программно-аппаратного комплекса GigaChat Enterpr…
Обновление умного ассистента Tecno Ella с результатами матче…
TECNO запустил мини-приложение VK, приуроченное к чемпионату мира по футболу FIFA 2026. В рамках турнира …
Лучшие бесплатные платформы для изучения Java в 2026 году — …
Java стабильно входит в топ-5 самых востребованных языков программирования уже более 25 лет. В 2026 го…
Представлен безрамочный концепт флагманского смартфона Tecno…
TECNO анонсировала прототип своего будущего флагманского смартфона — безрамочного устройства следующего п…
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
2006-2026
© MegaObzor