Samsung анонсировала память третьего поколения

Новая память Samsung "FlashBolt" HBM2E обеспечит вдвое большую емкость по сравнению с предыдущим поколением 8 Гб "Aquabolt" HBM2. Пропускная способность и энергоэффективность также возрастут, все это повысит производительность компьютерных систем.

Samsung разработала производство памяти по новой технологии. Инженеры компании вертикально уложила восемь слоев 16 Гб памяти DRAM поверх буферного чипа.

HBM2E "Flashbolt" обеспечит скорость передачи данных до 3,2 Гб/с и пропускную способность памяти 410 Гб/с, что в 1,7 раза превышает пропускную способность предыдущего поколения HBM2 "Aquabolt".