Новая память Samsung "FlashBolt" HBM2E обеспечит вдвое большую емкость по сравнению с предыдущим поколением 8 Гб "Aquabolt" HBM2. Пропускная способность и энергоэффективность также возрастут, все это повысит производительность компьютерных систем.
![](uploads/stories/153020/SAMSUNG-HBM2_B_0236FB110BC9447595D6D0C0047AB793.jpg)
Samsung разработала производство памяти по новой технологии. Инженеры компании вертикально уложила восемь слоев 16 Гб памяти DRAM поверх буферного чипа.
![](uploads/stories/153020/4.jpg)
HBM2E "Flashbolt" обеспечит скорость передачи данных до 3,2 Гб/с и пропускную способность памяти 410 Гб/с, что в 1,7 раза превышает пропускную способность предыдущего поколения HBM2 "Aquabolt".