Samsung анонсировала память третьего поколения

Новая память Samsung "FlashBolt" HBM2E обеспечит вдвое большую емкость по сравнению с предыдущим поколением 8 Гб "Aquabolt" HBM2. Пропускная способность и энергоэффективность также возрастут, все это повысит производительность компьютерных систем.

Samsung разработала производство памяти по новой технологии. Инженеры компании вертикально уложила восемь слоев 16 Гб памяти DRAM поверх буферного чипа.

HBM2E "Flashbolt" обеспечит скорость передачи данных до 3,2 Гб/с и пропускную способность памяти 410 Гб/с, что в 1,7 раза превышает пропускную способность предыдущего поколения HBM2 "Aquabolt".
Закаленное стекло Gorilla Glass Victus 2 будет использоватьс…
Corning представила закаленное стекло Gorilla Glass Victus 2. Компания заверила, что новое стекло обладае…
Очки Huawei Vision Glass появились в продаже …
Компания Huawei дала старт китайским продажам очков Vision Glass, которые были представлены в прошлом мес…
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИМегаОбзор
Яндекс.Метрика
2006-2023
© MegaObzor