Смартфоны с 8 ГБ RAM все ближе. У Samsung соответствующая память уже есть, а сейчас и Hynix разработала нужное «железо». У Hynix готова оперативная память LPDDR4 объемом 8 ГБ (4 микросхемы по 2 ГБ, сведенные в одну) с частотой 3733 МГц. Пропускная способность 29,8 ГБ/с. Изготавливается эта память по техпроцессу 21 нм и подходит для смартфонов. Уже отгружается версия с напряжением 1,8 / 1,1 В, а версия с напряжением 0,6 В и, соответственно, пониженным энергопотреблением начнет отгружаться в первом квартале 2017 года.