Ранее было известно, что компания Samsung начала производство чипов на основе 3-нм производственного узла с использованием архитектуры транзисторов Gate-All-Around (GAA). На мероприятии в Корее, компания сообщила о начале поставки первого 3-нм чипа, изготовленного с использованием технологии Gate All Around, на линии V1 в кампусе Хвасонг.

По словам Samsung, в кампусе Пхентхэк в конечном итоге появится производство 3-нм чипов GAA. В то время как главный конкурент TSMC, как ожидается, начнет производство 3-нм чипов только в четвертом квартале 2022 года. AMD и Qualcomm могут стать одними из первых пользователей нового чипа Samsung. К ним также может присоединиться компания NVIDIA.