Компания Samsung представила первое в мире решение чипов памяти DDR5 DRAM объёмом 32 ГБ, основанное на 12-нм техпроцессе и позволяющее создавать модули памяти объёмом до 128 ГБ. До сих пор производители памяти вроде SK Hynix и Micron предлагали DDR5 DRAM ёмкостью только до 24 ГБ, что позволяет использовать память объёмом до 96 ГБ, но Samsung поднимает планку за счёт повышения плотности чипов на 33,3%. Правда, стоит напомнить, что компания Micron тоже подтвердила выпуск чипов памяти такого же объёма, но пока что производитель не выпустил реальное решение в продажу.

«Создавая 32 ГБ по технологическому процессу в 12 нм, мы обеспечили решение, которое позволит создавать модули DRAM объёмом до 1 ТБ, что позволяет нам создавать передовые решения и удовлетворять потребности центров обработки данных, нуждающихся в большем объёме ОЗУ для работы с искусственным интеллектом», — заявили в компании Samsung. Этот технологический прорыв делает новую память оптимальным решением для предприятий, уделяющих особое внимание энергоэффективности, так как теперь для получения необходимого объёма опертивной памяти уже не нужно ставить сто серверов — достаточно использовать около 70. Это существенный удар по потреблению энергии и это позволит сократить расходы на покупку серверов, а также их содержание. Вопрос только в стоимости новых чипов памяти и сроках их запуска в свет — на текущий момент это на самом деле крайне важный момент, который повлияет на покупателей.