Ожидается, что в скором времени начнется производство 3 нм GAA техпроцесса, а Samsung, как известно, представит свою следующую технологию. Несколько месяцев назад сообщалось о начале массового производства своей технологии Gate All-Around GAA - превосходной 4-нм технологическому процессу, который применялся для массового изготовления Snapdragon 8 Gen 1 от Qualcomm.

Преимущества 3-нм GAA отличаются от 5-нм техпроцесса от Samsung, а компания заявляет о том, что позволяет снизить размер до 35%, обеспечив при этом увеличение производительности на 30%, а также экономию энергоресурсов на 50%. Это 3-нм-процесс GAA может быть использован для смены 3-нм-узла TSMC, но производитель Тайваня долгое время являлся доминирующим на мировом рынке литейного оборудования. Согласно представленной статистике, TSMC заняла 52,1% мирового рынка литейных изделий в четвертом квартале 2021 года, в то время как Samsung, занявшая второе место, сильно отставала с долей рынка всего 18,3%. В предыдущем отчете упоминалось, что Samsung боролся со своим 3-нм процессом GAA, поскольку производительность предположительно была хуже, чем у его 4-нм техпроцесса.