Samsung создала прототип 3-нм техпроцесса

Samsung удалось создать прототип первого 3-нм техпроцесса. И теперь новая цель для Samsung - стать производителем полупроводников номер один в мире к 2030 году.

3 нм техпроцесс основан на технологии Gate All Around (GAAFET), которая отличается от отраслевого стандарта FinFET. Это изменение в технологии уменьшает общий размер кремния на 35%, а также потребляет на 50% меньше энергии. Это позволяет увеличить производительность на 33% по сравнению с 5 нм процессом FinFET.

Конструкция построена на четырех сторонах канала, что обеспечивает уменьшение утечки энергии. Это улучшает контроль над каналом, что является фундаментальным шагом при сжатии узла процесса и обеспечивает более эффективную конструкцию транзистора в сочетании с общим меньшим размером узла, это огромный скачок производительности на ватт по сравнению с 5 нм процессом FinFET.
Закаленное стекло Gorilla Glass Victus 2 будет использоватьс…
Corning представила закаленное стекло Gorilla Glass Victus 2. Компания заверила, что новое стекло обладае…
Очки Huawei Vision Glass появились в продаже …
Компания Huawei дала старт китайским продажам очков Vision Glass, которые были представлены в прошлом мес…
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИМегаОбзор
Яндекс.Метрика
2006-2023
© MegaObzor