Флагманский чипсет Qualcomm для устройств следующего года создается при непосредственной поддержке Samsung. Ожидается, что Snapdragon 835 получит восемь ядер Kryo с частотой до 2,2 ГГц и графический чип Adreno 540. В Сети были опубликованы первые результаты прогона прототипа в бенчмарке AnTuTu. Ожидаемо, девайс на новом чипсете с QHD-экраном и 4/64 ГБ системной памяти вырвался на вершину рейтинга с показателем 181 434 балла, что почти на 10 тыс. опережает результат А10 Fusion, установленного в iPhone 7 и iPhone 7 Plus. Однако главный вопрос заключается в том, справится ли 10-нм чип с перегревом, чего не смог сделать Snapdragon 810 (восьмиядерный флагман прошлого года). Ответы будут получены уже будущей весной, когда в продажу начнут поступать первые устройства на Snapdragon 835. По предварительным данным, ими станут Samsung Galaxy S8 и Xiaomi Mi6.