Sony Semiconductor Solutions Corporation преуспела в разработке первой в мире технологии многослойных CMOS-датчиков изображения с 2-слойным транзисторным пикселем. В то время как фотодиоды и пиксельные транзисторы обычных CMOS-датчиков изображения занимают одну и ту же подложку. Новая технология Sony разделяет фотодиоды и пиксельные транзисторы на разных слоях подложки. Эта новая архитектура примерно вдвое увеличивает уровень сигнала насыщения по сравнению с обычными датчиками изображения, расширяет динамический диапазон и снижает шум, тем самым существенно улучшая характеристики изображения. Пиксельная структура новой технологии позволит пикселям сохранять или улучшать свои существующие свойства не только при текущих, но и при меньших размерах пикселей.

Многослойный датчик изображения CMOS имеет многослойную структуру, состоящую из пиксельного чипа, состоящего из пикселей с задней подсветкой, уложенных наверху логического чипа, на котором сформированы схемы обработки сигналов. Внутри пиксельного чипа фотодиоды для преобразования света в электрические сигналы и пиксельные транзисторы для управления сигналами расположены рядом друг с другом на одном слое. Повышение уровня сигнала насыщения в пределах ограничений форм-фактора играет важную роль в достижении высокого качества изображения с широким динамическим диапазоном. Новая архитектура Sony - это прогресс в технологии многослойных CMOS-датчиков изображения. Используя свою запатентованную технологию наложения, Sony разместила фотодиоды и пиксельные транзисторы на отдельных подложках, уложенных друг на друга. В обычных многослойных CMOS-датчиках изображения, фотодиоды и пиксельные транзисторы расположены рядом друг с другом на одной и той же подложке. Новая технология наложения позволяет использовать архитектуры, которые позволяют оптимизировать каждый слой фотодиода и пиксельного транзистора, тем самым примерно удваивая уровень сигнала насыщения по сравнению с обычными датчиками изображения и, в свою очередь, расширяя динамический диапазон.