Компания Samsung объявила о выпуске нового поколения твердотельных накопителей V-NAND. Это будет 6-е поколение этой формы трехмерной памяти. Он состоит из вертикально расположенных флэш-ячеек, каждая из которых может содержать 3 бита данных. Поскольку они размещены обычно максимум 256 гигабит (Гб) на отдельном чипе, это обеспечивает исключительно высокую плотность хранения.
Первый из новых накопителей будет выпущен с общим объемом 250 ГБ. Samsung также утверждает, что дизайн этой новой памяти V-NAND обеспечивает улучшенное сохранение данных, а также обеспечивает скорость чтения всего 450 микросекунд, а также скорость записи, которая может приближаться к 45 микросекундам. Это представляет собой улучшение на 10% по сравнению с предыдущим поколением при использовании на 15% меньше энергии.
3D-флеш-память 6-го поколения организована как минимум в 100 слоев структур с одним стеком, тогда как 5-е поколение не может выйти за пределы 99. Этот прорыв может стать ключом к более плотным флэш-памяти в будущем. Например, Samsung теперь утверждает, что непосредственные преемники этой новой NAND могут масштабироваться до 512 Гб на чип.
