Количество транзисторов в интегральной схеме будет удваиваться каждые два года из-за технического прогресса. Лучший способ добиться этого - уменьшить расстояние между транзисторами, но улучшать его становится все труднее.

Нынешний генеральный директор Intel Боб Свон, признает, что задержки в процессе производства 10 нм были связаны с большими амбициями компании. Компания хотела достичь плотности транзисторов в 2,7 раза выше, чем в процессе производства 14 нм. Свон считает, что это была более агрессивная цель в то время, когда стало сложнее получить еще больше транзисторов на чипах с одинаковым размером.

В 2021 году должен последовать процесс производства 7 нм.