Память на основе фазовых переходов, так называемая Phase Change Random Access Memory (PRAM), является одним из вероятных кандидатов на роль наиболее распространенных устройств хранения данных в будущем. И уже сейчас ведущие производители чипов памяти взялись за разработку PRAM-чипов, которые могут использоваться в потребительских электронных устройствах.
Согласно информации от сетевого ресурса The Inquirer, ссылающегося на японский информационный ресурс Nikkei, компании Renesas и Hitachi уже приступили к разработке подобных микросхем. В данном случае, согласно все тем же источникам, разработчики используют для хранения информации пентоксид тантала. Обе компании планируют представить свои первые прототипы, и, возможно, начать массовое производство PRAM-чипов, в течение последующих трех лет.

Таким образом, можно говорить, что PRAM-память имеет наиболее высокие шансы стать заменой современным чипам флэш-памяти. Ведь помимо представленных Renesas и Hitachi о начале разработки подобных устройств уже заявляла южнокорейская корпорация Samsung.