Intel о планах по производству PCM памяти.

Память, работающая по принципу изменяемой фазы, по всей видимости, всего на шаг отстоит от того, чтобы стать коммерческое продукцией. Как сообщает EETImes, Intel объявила о намерении представить своим партнерам 128 Мбит сэмплы этой памяти, выполненные с использованием 90 нм технологии, уже в первой половине этого года. Напомню, что многими PCM называется одним из возможных потомков нынешней энергонезависимой NOR флэш-памяти.

По утверждению представителей Intel, 128 Мбит чип продемонстрировал способность выдержать 100 млн. циклов чтения-записи, а также хранить записанные данные на протяжении 10 лет. Полупроводниковый гигант уверен, что в будущем PCM может заменить не только NOR, но также, в некоторых случаях, и DRAM память.

В своей работе с PCM Intel использует технологию, лицензированную у компании Ovonyx еще в 2000 году. В основе процесса лежит халькогенидное стекло, чье фазовое состояние может быть изменено с кристаллического на аморфное. Помимо Intel, лицензию на PCM у Ovonyx получили, в частности, такие гиганты, как Lockheed Martin, STM, Nanochip, Elpida, Samsung и Qimonda.

Особо подчеркивается, что сэмплы, которые Intel представит своим партнерам, совместимы с NOR чипами и предназначены лишь для ознакомления с новой технологией. Компании все еще предстоит решить некоторые задачи, прежде чем возьмет старт коммерческая эксплуатация новой архитектуры памяти. Пока же в качестве возможного срока начала массового производства PCM памяти Intel называет конец этого года.