CXMT собирается запустить серийное производство своей первой памяти HBM в форм-факторе HBM3E. Как сообщает Reuters в эксклюзивном материале, старт запланирован на ближайшие два месяца, то есть официально компания начнет его к концу года. Еще в августе CXMT запустила пробный выпуск HBM3E. Однако производитель столкнулся с трудностями по выходу годных модулей, и, судя по последнему отчету, ситуация с тех пор не изменилась. Хотя точных данных о производительности нет, официальные спецификации JEDEC для HBM3E предусматривают ширину 1024 бит и скорость от 9,2 Гбит/с на контакт до 12,4 Гбит/с, причем большинство стандартных конфигураций рассчитаны на 9,6 Гбит/с на контакт. Суммарная пропускная способность составляет около 1,2 ТБ/с, а емкость — от 24 ГБ при 8-слойных стеках до 36 ГБ при 12-слойных стеках по 24 Гбит/с.

Проблема CXMT связана с незрелостью технологии сквозных межсоединений (TSV). На производственном этапе выход годных у CXMT составляет около 30%, тогда как на финальной обработке этот показатель возрастает примерно на 70% сверх исходных 30%. Для сравнения: Samsung использует около 5000 TSV на слой в HBM2, а SK hynix — более 8000 TSV на слой в своей HBM3. Однако данные говорят о том, что CXMT пытается создать HBM3E всего с 3000 TSV на слой и разместить 8 слоев в стандартной 8-слойной конфигурации HBM3E. С учетом этих сложностей компания вряд ли скоро перейдет к более производительной 12-слойной HBM, поскольку ей предстоит решить инженерные задачи. Источники, близкие к Reuters, утверждают, что производительность HBM3E от CXMT ближе к предыдущему поколению HBM3 от SK hynix, чем к HBM3E самой компании. CXMT начала отправлять клиентам две версии HBM3E: стандартную и обновленную, с изменениями для повышения выхода годных, который, по сообщениям, составляет лишь 20%. Однако низкий выход пока приемлем, так как компания продолжает совершенствовать производственные линии и технологию изготовления, а отечественные производители микросхем остро нуждаются в HBM.