Память HBM4E от Samsung, которая готовится к выходу на рынок, успешно прошла проверку для использования в новых графических ускорителях NVIDIA серии "Rubin Ultra", предназначенных для задач искусственного интеллекта. Для компании это значимый успех, поскольку её предыдущее поколение памяти HBM3E не прошло отбор NVIDIA, из-за чего корейский производитель получил заказ только на поставку GDDR7, а не HBM3E. Новое поколение HBM даёт заметный прирост характеристик, и Samsung входит в число ключевых поставщиков, чьи решения сейчас функционируют на скорости 14 Гбит/с на контакт и имеют 2048 контактов на каждый стек HBM4E. При таких параметрах компания способна обеспечить максимальную пропускную способность в 3,6 ТБ/с, а при повышении скорости до 16 Гбит/с этот показатель вырастет до 4 ТБ/с для одного стека HBM4E.

Если учитывать, что в одном ускорителе ИИ или графическом процессоре обычно размещается около десяти стеков памяти, то суммарная пропускная способность окажется весьма внушительной. На данный момент Samsung предлагает эту память в варианте с 12 слоями, где каждый стек имеет плотность 48 ГБ. Тем не менее, в дальнейшем клиенты также запросят версии с 8 слоями на 32 ГБ и с 16 слоями на 64 ГБ. Что касается выпуска HBM4E, то Samsung начала рассылать тестовые образцы ещё в мае текущего года, и по прогнозам, в 2026 году ежемесячный объём производства достигнет примерно 20 тысяч пластин, а к 2027 году удвоится до 50 тысяч пластин в месяц. В отношении выпуска базовых кристаллов сообщается, что половина мощностей по 4-нм техпроцессу SF4 была направлена на изготовление базовых кристаллов HBM4E. Это говорит о сильном интересе заказчиков к таким решениям, как NVHBM, что открывает путь к более кастомизированным продуктам по сравнению с прежними подходами.