Чипы памяти Samsung Sampling 24 Гбит/с GDDR6

Компания Samsung начала разработку высокоскоростных микросхем памяти GDDR6 с пропускной способностью 24 Гбит/с. Для ясности: это стандартные микросхемы GDDR6, созданные в соответствии со спецификациями JEDEC, а не GDDR6X, производный стандарт, совместно разработанный NVIDIA и Micron с использованием PAM4. Чипы со скоростью 24 Гбит/с от Samsung могут использоваться как NVIDIA, так и AMD, если их графические процессоры поддерживают скорость передачи данных. Этот чип имеет объем 16 ГБ, это означает, что 8 из них составляют 16 ГБ на шине памяти шириной 256 бит, а 12 из них составляют 24 ГБ на шине 384 бит.

При скорости 24 Гбит/с эти чипы предлагают на 50% большую пропускную способность, чем 16 Гбит/с и на 71% больше, чем 14 Гбит/с. Обновление 6 нм «Navi 21» в паре с этими чипами, следовательно, будет иметь пропускную способность памяти 768 ГБ / с сверх пропускной способности Infinity Cache по сравнению с 512 ГБ / с на текущей Radeon RX 6800 XT.. Пока неизвестно, когда компания начнет массовое производство чипа, но это определенно может произойти в 2022 году.