IBM и Samsung заявляют, что они совершили прорыв в разработке полупроводников. В первый день конференции IEDM в Сан-Франциско обе компании представили новую конструкцию вертикального размещения транзисторов на кристалле. В современных процессорах и системах-на-чипе транзисторы лежат на поверхности кремния, а затем электрический ток течет по ним из стороны в сторону. Теперь архитектура построена совершенно иначе — вертикальные транспортные полевые транзисторы (VTFET) расположены перпендикулярно друг другу, а ток течет по ним вертикально. По мнению IBM и Samsung, такая конструкция имеет два преимущества. Во-первых, это позволит им обойти многие ограничения производительности и расширить закон Мура за пределы существующей технологии нанолистов IBM.

Что еще более важно, конструкция приводит к меньшим потерям энергии благодаря большему току. По их оценкам, VTFET приведет к созданию процессоров, которые будут либо вдвое быстрее, либо будут потреблять на 85 процентов меньше энергии, чем чипы, разработанные с транзисторами FinFET. IBM и Samsung утверждают, что однажды этот процесс может позволить телефонам работать целую неделю без подзарядки. Они также считают, что это может сделать некоторые энергоемкие задачи, включая криптомайнинг, более энергоэффективными и, следовательно, менее вредными для окружающей среды. К сожалению, в IBM и Samsung не сообщили, когда они планируют коммерциализировать новый дизайн чипов.