С увеличением высоты структуры NAND становится более уязвимой к ошибкам и задержкам чтения.Для того чтобы преодолеть такие ограничения, Samsung внедрила оптимизированную схему по скорости передачи данных: менее 450 мкс для операций записи и менее 45 мкс для операций чтения.
Благодаря этому, Samsung сможет предлагать решения V-NAND следующего поколения с более чем 300 слоями, просто объединив три «стека». Кроме того, количество канальных отверстий уменьшилось до 670 млн с 930 млн по сравнению с предыдущим поколением, что позволило уменьшить размеры чипов и сократить количество этапов процесса.
Во второй половине текущего года Samsung планирует предложить SSD объёмом 512 ГБ и eUFS с памятью шестого поколения V-NAND.