SSD с флэш-памятью V-NAND шестого поколения от Samsung

Samsung Electronics объявила о начале массового производства твердотельных накопителей с интерфейсом SATA ёмкостью 250 Гбайт, в которых используется флэш-память V-NAND шестого поколения.

V-NAND от Samsung шестого поколения отличается самой высокой в отрасли скоростью передачи данных. Применяя уникальную технологию «травления каналов», удалось увеличить число ячеек на 40% по сравнению с микросхемами с числом слоев 9x. Это достигается путем создания электропроводящего «стека» пресс-формы, состоящей из 136 слоев, с последующим вертикальным прокалыванием цилиндрических отверстий сверху донизу, создавая однородные трехмерные ячейки с зарядовой ловушкой (CTF).

С увеличением высоты структуры NAND становится более уязвимой к ошибкам и задержкам чтения.Для того чтобы преодолеть такие ограничения, Samsung внедрила оптимизированную схему по скорости передачи данных: менее 450 мкс для операций записи и менее 45 мкс для операций чтения.

Благодаря этому, Samsung сможет предлагать решения V-NAND следующего поколения с более чем 300 слоями, просто объединив три «стека». Кроме того, количество канальных отверстий уменьшилось до 670 млн с 930 млн по сравнению с предыдущим поколением, что позволило уменьшить размеры чипов и сократить количество этапов процесса.

Во второй половине текущего года Samsung планирует предложить SSD объёмом 512 ГБ и eUFS с памятью шестого поколения V-NAND.