В Китае выпустили контроллер для быстрой памяти

В прошлом году Innosilicon представила PHY и IP-контроллер LPDDR6/5X, которые предназначены для работы с памятью следующего поколения. Теперь компания сообщила о достижении первой коммерческой кооперации на внутреннем рынке. По словам Innosilicon, новая связка PHY LPDDR6/5X и IP-контроллера разработана с использованием передовой FinFET-технологии и ориентирована на низкое энергопотребление, высокую пропускную способность и минимальные задержки в составе многокристального контроллера, а также обладает рядом других ключевых преимуществ. Компания отмечает, что опыт работы с другими типами DRAM, включая GDDR6, GDDR6X, GDDR7, а также HBM3E и HBM4, позволил создать зрелое и конкурентоспособное решение LPDDR6/5X для массового рынка.

Для достижения высоких скоростей в своём комбинированном IP-контроллере LPDDR6/5X компания Innosilicon применила собственную архитектуру ввода-вывода и оптимизацию технологического процесса для SIPI-симуляций. Это обеспечило прирост производительности в 1,5 раза по сравнению с текущим решением LPDDR5X, максимальная скорость которого составляет 9,6 Гбит/сек. Кроме того, стандарт LPDDR6 переходит с 16-битной архитектуры на 24-битную, что увеличивает скорость ввода-вывода с 9,6 Гбит/сек до 14,4 Гбит/сек, а также расширяет разрядность IO с 8 бит до 12 бит, обеспечивая одноканальную 24-битную архитектуру с двукратным ростом пропускной способности. И всё это на своих производственных мощностях.
AMD представила стандарт памяти EXPO Ultra Low Latency…
Компания AMD представила на Computex 2026 новую технологию для своего стандарта памяти EXPO под названием…
Intel разработала передовую память HB3DM…
Intel и SoftBank через совместную дочернюю компанию Saimemory разрабатывают альтернативу популярной памят…
Lexar рассказала на чём экономят геймеры…
Во время медиа-тура в штаб-квартире Lexar в Китае журналисты Digital Foundry пообщались с генеральным мен…
Чипы памяти в 2026 году не подешевеют…
Согласно последнему исследованию TrendForce, продолжающиеся инвестиции в гонку ИИ со стороны североамерик…
Дефицит памяти сохранится до 2028 года…
Дефицит оперативной памяти, как ожидается, сохранится ещё несколько лет — признаков скорой стабилизации р…
Забастовка сотрудников Samsung ударит по рынку памяти…
Возможно, вы об этом не слышали, но на рынке памяти DRAM и NAND назревает серьёзный кризис. Причиной може…
SK Hynix разработала новую память LPDDR6…
Сегодня компания SK Hynix официально объявила о разработке новых модулей памяти LPDDR6 ёмкостью 16 ГБ, со…
Samsung выпустила память на 900 слоёв…
Компания Samsung приблизилась к созданию 1000-слойной V-NAND-памяти — компании уже удалось разработать пе…
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
2006-2026
© MegaObzor