Компания International Business Machines (IBM) и Samsung объявили на конференции IEDM в Сан-Франциско о прорыве в разработке полупроводников, представив новую конструкцию для вертикального размещения транзисторов на кристалле. В новых транзисторах с вертикальным транспортным полевым эффектом (VTFET) транзисторы расположены перпендикулярно друг другу, а ток течет через них вертикально. Для тех, кто не знает, в нынешних процессорах и системах на кристаллах транзисторы лежат на поверхности, а электрический ток течет из стороны в сторону.

Этот новый тип транзистора может позволить увеличить плотность этих компонентов на кристалле по сравнению с любыми другими устройствами, доступными в настоящее время. Таким образом, есть потенциал для повышения энергоэффективности и производительности. Однако IBM и Samsung не единственные, кто работает над новыми типами транзисторов. Чипсет гигант Intel также экспериментирует с микросхемами уложенных друг над другом, чтобы сохранить площадь, уменьшить длину межсоединений и сэкономить энергию, чтобы сделать чипы более экономичными и более эффективными.