Intel и Micron объявили о выпуске первого QLC 3D NAND

Intel и Micron объявили о выпуске и отгрузке первых QLC 3D NAND способной хранить до 4-бит в одной ячейке. Используя 64-слойную структуру, при 4 бит на ячейку NAND, память достигает плотности 1 Tb на кристалл.

Компании также объявили о прогрессе в развитии трехмерной структуры 96-слойной NAND третьего уровня , обеспечив 50-процентное увеличение вместимости.
Новая 64-слойная технология NAND с 4bit / cell позволяет создавать более плотную память в меньшем объеме.

Оперативная память за три месяца подорожала вдвое…
Цены на оперативную память DDR5 достигли исторического максимума — комплекты объёмом 16 и 32 ГБ подорожал…
Стоимость оперативной памяти вскоре взлетит до небес…
Искусственный интеллект уже серьёзно изменил баланс в цепочке поставок, и теперь, по данным сразу несколь…
Оверклокер поставил новый рекорд разгона DDR5…
Соревнования по разгону оперативной памяти DDR5 становятся всё более ожесточёнными — энтузиасты буквально…
SK Hynix представила первую в мире 321-слойную память…
SK Hynix объявила о завершении разработки и старте массового производства 321-слойной QLC NAND-памяти объ…
Оверклокер поставил рекорд разгона DDR5-памяти…
Вчера очередной энтузиаст-оверклокер сумел побить недавно установленный мировой рекорд скорости памяти DD…
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
2006-2025
© MegaObzor