Intel и Micron объявили о выпуске первого QLC 3D NAND

Intel и Micron объявили о выпуске и отгрузке первых QLC 3D NAND способной хранить до 4-бит в одной ячейке. Используя 64-слойную структуру, при 4 бит на ячейку NAND, память достигает плотности 1 Tb на кристалл.

Компании также объявили о прогрессе в развитии трехмерной структуры 96-слойной NAND третьего уровня , обеспечив 50-процентное увеличение вместимости.
Новая 64-слойная технология NAND с 4bit / cell позволяет создавать более плотную память в меньшем объеме.

Забастовка сотрудников Samsung ударит по рынку памяти…
Возможно, вы об этом не слышали, но на рынке памяти DRAM и NAND назревает серьёзный кризис. Причиной може…
Intel разработала передовую память HB3DM…
Intel и SoftBank через совместную дочернюю компанию Saimemory разрабатывают альтернативу популярной памят…
Samsung выпустила память на 900 слоёв…
Компания Samsung приблизилась к созданию 1000-слойной V-NAND-памяти — компании уже удалось разработать пе…
Дефицит памяти сохранится до 2028 года…
Дефицит оперативной памяти, как ожидается, сохранится ещё несколько лет — признаков скорой стабилизации р…
ASUS представила оперативную память ROG Edition…
Ещё в прошлом году появились слухи, что ASUS собирается выйти на рынок оперативной памяти, а теперь на ме…
Цены на чипы памяти не снизятся до 2030 года…
Аналитики Korea Investment & Securities отмечают, что цены на память вряд ли снизятся в ближайшее время. …
Samsung прогнозирует кризис памяти в 2027 году…
Дефицит оперативной памяти, который уже приводит к росту цен на устройства — от смартфонов до портативных…
Samsung повысит цены на свою память…
NAND-память компании Samsung, по информации инсайдеров, значительно подорожает. Южнокорейский гигант, как…
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
2006-2026
© MegaObzor