Intel и Micron объявили о выпуске первого QLC 3D NAND

Intel и Micron объявили о выпуске и отгрузке первых QLC 3D NAND способной хранить до 4-бит в одной ячейке. Используя 64-слойную структуру, при 4 бит на ячейку NAND, память достигает плотности 1 Tb на кристалл.

Компании также объявили о прогрессе в развитии трехмерной структуры 96-слойной NAND третьего уровня , обеспечив 50-процентное увеличение вместимости.
Новая 64-слойная технология NAND с 4bit / cell позволяет создавать более плотную память в меньшем объеме.

Samsung разработала память LPDDR6 для Qualcomm…
В конце октября компания Qualcomm представила ускорители и серверные стойки на базе процессоров AI200 и A…
Цены на оперативную память DDR5 постепенно снижаются…
Розничные цены на DDR5 в Германии наконец подали первые признаки снижения после резкого роста в последние…
Samsung повысит цены на свою память…
NAND-память компании Samsung, по информации инсайдеров, значительно подорожает. Южнокорейский гигант, как…
Samsung уверена, что спрос на память не снизится…
Samsung рассчитывает, что высокий спрос на её чипы памяти сохранится не только в этом году, но и в 2027 г…
В сеть слили накопитель Seagate FireCuda X1070…
После того, как SanDisk представила новую схему наименования для NVMe SSD, похоже, и Seagate готовится из…
Чипы памяти в 2026 году не подешевеют…
Согласно последнему исследованию TrendForce, продолжающиеся инвестиции в гонку ИИ со стороны североамерик…
Qualcomm и AMD добрались до ОЗУ в формате SOCAMM2…
По сообщениям отраслевых источников, Qualcomm и AMD рассматривают возможность интеграции памяти SOCAMM2 в…
Акции Corsair упали на 90%…
Компания Corsair вышла на биржу Nasdaq в сентябре 2020 года, проведя IPO по цене 17 долларов за акцию. Од…
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
2006-2026
© MegaObzor