Intel и SoftBank через совместную дочернюю компанию Saimemory разрабатывают альтернативу популярной памяти High Bandwidth Memory, чтобы обеспечить более высокую пропускную способность и эффективность для модулей, используемых в мощных ИИ-ускорителях. На конференции VLSI 2026 в июне Saimemory представит новую память HB3DM, основанную на технологии Z-Angle Memory. Название связано с вертикальным (по оси Z) расположением кристаллов, как и в классической HBM. Однако здесь ставка сделана на более продвинутые производственные технологии — первое поколение HB3DM получит 9 слоёв, объединённых с помощью гибридной технологии для 3D-компоновки. В основании будет логический слой, управляющий передачей данных внутри процессора, а сверху разместятся 8 слоёв DRAM для хранения данных.

По характеристикам новая память выглядит крайне мощно — один слой обеспечит около 1,125 ГБ, что даёт примерно 10 ГБ на модуль. Пропускная способность достигает примерно 0,25 Тбит/сек на мм2, а для модуля с площадью кристалла 171 мм2 это даёт около 5,3 ТБ/сек. Такие показатели могут серьёзно опередить HBM4, которая обеспечивает около 2 ТБ/сек на стек — более чем в два раза меньше. Однако у HB3DM есть ограничение по объёму — около 10 ГБ против до 48 ГБ у HBM4. В будущем Intel может увеличить количество слоёв, но уже сейчас технология выглядит лидером по пропускной способности. И это даст компании возможность конкурировать с лидерами рынка быстрой памяти в сегменте ИИ.