Intel и Micron завершают взаимное сотрудничество в области 3D NAND

Intel и Micron объявили, что они прекратят свое сотрудничество в разработке 3D-флэш-памяти. Компании все еще говорят, что хотят закончить и работать вместе над третьим поколением.
Они отмечают, что сотрудничество в 3D XPoint остается в IMFlash fab в американском штате Юта. В настоящее время он полностью сосредоточен на производстве этого типа памяти.
BOISE, Айдахо и САНТА-КЛАРА, Калифорния, 08 января 2018 года (GLOBE NEWSWIRE) - Micron и Intel сегодня объявили о своем успешном совместном партнерстве в области развития NAND, которое помогло компаниям разрабатывать и поставлять на рынок лучшие в отрасли технологии NAND.

Спрос на память DDR4 существенно вырос на фоне дефицита…
Несмотря на активное продвижение DDR5, память стандарта DDR4 пока не собирается уходить с рынка. Более то…
Samsung выпустила память на 900 слоёв…
Компания Samsung приблизилась к созданию 1000-слойной V-NAND-памяти — компании уже удалось разработать пе…
AMD представила стандарт памяти EXPO Ultra Low Latency…
Компания AMD представила на Computex 2026 новую технологию для своего стандарта памяти EXPO под названием…
Samsung прогнозирует кризис памяти в 2027 году…
Дефицит оперативной памяти, который уже приводит к росту цен на устройства — от смартфонов до портативных…
Память DDR5 подорожает на 500% до конца года…
Постоянный рост цен на память DDR5 делает всё сложнее как апгрейд уже существующих компьютеров, так и сбо…
SK Hynix готовит к релизу память нового поколения…
Компания SK Hynix начнёт массовое производство своего 375-слойного NAND Flash-решения к концу 2026 года, …
Intel разработала передовую память HB3DM…
Intel и SoftBank через совместную дочернюю компанию Saimemory разрабатывают альтернативу популярной памят…
Цены на DDR4 впервые за долгое время упали…
Цены на DDR4 наконец начали снижаться после резкого роста — в марте спотовая стоимость чипов объёмом 16 Г…
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
2006-2026
© MegaObzor