Компания SK Hynix начнёт массовое производство своего 375-слойного NAND Flash-решения к концу 2026 года, предлагая более высокую плотность хранения данных. Стоит напомнить, что SK Hynix и Samsung продолжают гонку за наибольшее количество слоёв в сегменте NAND Flash. В то время как Samsung нацеливается на уровень выше 400 слоёв, включая решения с двойной компоновкой, потенциально доходящие до 1000 слоёв, SK Hynix вскоре планирует запустить массовое производство своего более скромного 375-слойного NAND-чипа. По данным источников, SK Hynix уже завершила верификацию своей 375-слойной NAND-технологии и готовится к запуску массового производства на своих фабриках. Производство будет организовано на уже существующих мощностях, которые сейчас выпускают 321-слойные решения.

Отмечается, что внутри компании SK Hynix этот продукт изначально обозначался как «400-слойный», однако позже число слоёв было пересмотрено до 375 из-за технических сложностей при дальнейшем наращивании структуры. Внутренняя дорожная карта компании при этом включает будущие разработки 480-слойных и 604-слойных решений, для которых потребуется иной технологический подход. Этот подход связан с заменой в производстве вольфрамовой плёнки на молибден. Новый материал помогает обойти проблемы передачи сигнала, возникающие при использовании вольфрама, поскольку он хуже выдерживает высокое электрическое сопротивление. В будущем это позволит выпускать более ёмкие накопители.