Longsys выпускает микросхемы памяти DRAM FORESEE DDR4

Компания Longsys недавно выпустила модуль FORESEE DDR4, в котором используется инкапсуляция с тонкой решеткой с 96 шариками (TFBGA). Производственный процесс продукта, скорость передачи, энергопотребление и надежность при высоких температурах - все это на ведущем в отрасли уровне.

DDR4 использует основные параметры и соответствует рыночным требованиям к хранению данных . FORESEE DDR4 использует инкапсуляцию TFBGA. По сравнению с предыдущим поколением DDR3L, DDR4 улучшила скорость передачи примерно на 30% с максимальной скоростью передачи 3200 млн транзакций в секунду. Продукт предлагает стандартную емкость 1 ГБ, необходимую для удовлетворения требований терминалов к хранению данных в отношении малой емкости и высокой надежности памяти. Собственная ATE расширяет возможности каждого продукта Основываясь на решении для тестирования микросхем интегральных схем (ASIC) 10 нм, Longsys применила свои нововведения и настройки к LS428, чтобы предоставить высокоскоростное, высокочастотное, крупномасштабное и маломощное автоматическое испытательное оборудование ( ATE) и поддерживать разработку тестовых программ. LS428 может одновременно тестировать до 4800 продуктов DDR4 на скорость (до 1600 МГц), работоспособность и высокотемпературное старение. Кроме того, обладая опытом в области инноваций, Longsys разработала тестовую розетку, которая может выполнять прямые высокотемпературные испытания, обеспечивая линейное повышение температуры от 0 ° C до 125 ° C. Это позволяет избежать хлопот, связанных с извлечением микросхемы со стенда и отправкой его в высокотемпературный бокс для тестирования, как это требуется при обычных высокотемпературных испытаниях. FORESEE DDR4 использует самый передовой 1α-нм техпроцесс. По сравнению с традиционным процессом 1x нм, процесс 1α нм дополнительно улучшает производительность продукта с управляемыми затратами. Кроме того, продукт имеет высокую тактовую частоту, которая обеспечивает эффективную скорость чтения и записи 3200 млн транзакций в секунду и обеспечивает высокоскоростное кэширование для обновления приложений в реальном времени.
Оперативная память DDR3 вновь набирает популярность…
Если вам когда-либо хотелось снова окунуться в атмосферу ПК начала 2010-х, то текущий рынок компьютеров г…
Apple будет выпускать Mac mini в США…
Компания Apple объявила о масштабном расширении производственных мощностей в Хьюстоне, благодаря чему вып…
Samsung представила передовую память HBM4…
Сегодня компания Samsung объявила о запуске массового производства памяти HBM4 и уже отгрузила коммерческ…
Samsung повысит цены на свою память…
NAND-память компании Samsung, по информации инсайдеров, значительно подорожает. Южнокорейский гигант, как…
Цены на оперативную память вновь подскочат…
Цены на память продолжают расти из-за дефицита, и теперь компании, занимающиеся упаковкой и тестированием…
SSD вскоре сильно подорожают…
После дефицита DRAM и взрывного роста цен на оперативную память становится очевидно, что следующими под у…
В Китае выпустили контроллер для быстрой памяти…
В прошлом году Innosilicon представила PHY и IP-контроллер LPDDR6/5X, которые предназначены для работы с …
Mac mini плохо справляется с играми из-за нехватки ОЗУ…
Первые компьютеры Apple на базе собственных чипов с 8 ГБ объединённой памяти подходили для базовых задач,…
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
2006-2026
© MegaObzor