Longsys выпускает микросхемы памяти DRAM FORESEE DDR4

Компания Longsys недавно выпустила модуль FORESEE DDR4, в котором используется инкапсуляция с тонкой решеткой с 96 шариками (TFBGA). Производственный процесс продукта, скорость передачи, энергопотребление и надежность при высоких температурах - все это на ведущем в отрасли уровне.

DDR4 использует основные параметры и соответствует рыночным требованиям к хранению данных . FORESEE DDR4 использует инкапсуляцию TFBGA. По сравнению с предыдущим поколением DDR3L, DDR4 улучшила скорость передачи примерно на 30% с максимальной скоростью передачи 3200 млн транзакций в секунду. Продукт предлагает стандартную емкость 1 ГБ, необходимую для удовлетворения требований терминалов к хранению данных в отношении малой емкости и высокой надежности памяти. Собственная ATE расширяет возможности каждого продукта Основываясь на решении для тестирования микросхем интегральных схем (ASIC) 10 нм, Longsys применила свои нововведения и настройки к LS428, чтобы предоставить высокоскоростное, высокочастотное, крупномасштабное и маломощное автоматическое испытательное оборудование ( ATE) и поддерживать разработку тестовых программ. LS428 может одновременно тестировать до 4800 продуктов DDR4 на скорость (до 1600 МГц), работоспособность и высокотемпературное старение. Кроме того, обладая опытом в области инноваций, Longsys разработала тестовую розетку, которая может выполнять прямые высокотемпературные испытания, обеспечивая линейное повышение температуры от 0 ° C до 125 ° C. Это позволяет избежать хлопот, связанных с извлечением микросхемы со стенда и отправкой его в высокотемпературный бокс для тестирования, как это требуется при обычных высокотемпературных испытаниях. FORESEE DDR4 использует самый передовой 1α-нм техпроцесс. По сравнению с традиционным процессом 1x нм, процесс 1α нм дополнительно улучшает производительность продукта с управляемыми затратами. Кроме того, продукт имеет высокую тактовую частоту, которая обеспечивает эффективную скорость чтения и записи 3200 млн транзакций в секунду и обеспечивает высокоскоростное кэширование для обновления приложений в реальном времени.
Goodram выпустит память DDR4 на 4 ГБ…
Ситуация на рынке оперативной памяти оказалась настолько ужасной, что компания Goodram решила возродить п…
Xiaomi представила свой первый NAS-сервер…
Сегодня компания Xiaomi официально анонсировала своё первое сетевое хранилище данных (NAS-сервер), которо…
AMD представила стандарт памяти EXPO Ultra Low Latency…
Компания AMD представила на Computex 2026 новую технологию для своего стандарта памяти EXPO под названием…
ASUS представила оперативную память ROG Edition…
Ещё в прошлом году появились слухи, что ASUS собирается выйти на рынок оперативной памяти, а теперь на ме…
CXMT запустила производство памяти DDR6…
Китайская компания CXMT продолжает ускорять разработку памяти нового поколения. По данным источников, про…
Цены на DDR4 и DDR3 взлетели на 50%…
Нехватка чипов памяти продолжает усиливаться, затрагивая уже не только современные стандарты, но и более …
Память DDR5 продемонстрировала рекордную цену за всю историю…
Цены на комплекты оперативной памяти DDR5 продолжают заметно расти каждый месяц и уже достигли рекордных …
Samsung стала лидером по поставкам памяти…
Согласно данным исследовательской компании Omdia, мировая выручка на рынке DRAM достигла рекордных 97 мил…
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
2006-2026
© MegaObzor