Longsys выпускает микросхемы памяти DRAM FORESEE DDR4

Компания Longsys недавно выпустила модуль FORESEE DDR4, в котором используется инкапсуляция с тонкой решеткой с 96 шариками (TFBGA). Производственный процесс продукта, скорость передачи, энергопотребление и надежность при высоких температурах - все это на ведущем в отрасли уровне.

DDR4 использует основные параметры и соответствует рыночным требованиям к хранению данных . FORESEE DDR4 использует инкапсуляцию TFBGA. По сравнению с предыдущим поколением DDR3L, DDR4 улучшила скорость передачи примерно на 30% с максимальной скоростью передачи 3200 млн транзакций в секунду. Продукт предлагает стандартную емкость 1 ГБ, необходимую для удовлетворения требований терминалов к хранению данных в отношении малой емкости и высокой надежности памяти. Собственная ATE расширяет возможности каждого продукта Основываясь на решении для тестирования микросхем интегральных схем (ASIC) 10 нм, Longsys применила свои нововведения и настройки к LS428, чтобы предоставить высокоскоростное, высокочастотное, крупномасштабное и маломощное автоматическое испытательное оборудование ( ATE) и поддерживать разработку тестовых программ. LS428 может одновременно тестировать до 4800 продуктов DDR4 на скорость (до 1600 МГц), работоспособность и высокотемпературное старение. Кроме того, обладая опытом в области инноваций, Longsys разработала тестовую розетку, которая может выполнять прямые высокотемпературные испытания, обеспечивая линейное повышение температуры от 0 ° C до 125 ° C. Это позволяет избежать хлопот, связанных с извлечением микросхемы со стенда и отправкой его в высокотемпературный бокс для тестирования, как это требуется при обычных высокотемпературных испытаниях. FORESEE DDR4 использует самый передовой 1α-нм техпроцесс. По сравнению с традиционным процессом 1x нм, процесс 1α нм дополнительно улучшает производительность продукта с управляемыми затратами. Кроме того, продукт имеет высокую тактовую частоту, которая обеспечивает эффективную скорость чтения и записи 3200 млн транзакций в секунду и обеспечивает высокоскоростное кэширование для обновления приложений в реальном времени.
Samsung стала лидером по поставкам памяти…
Согласно данным исследовательской компании Omdia, мировая выручка на рынке DRAM достигла рекордных 97 мил…
Спрос на память DDR4 существенно вырос на фоне дефицита…
Несмотря на активное продвижение DDR5, память стандарта DDR4 пока не собирается уходить с рынка. Более то…
Цены на DDR4 впервые за долгое время упали…
Цены на DDR4 наконец начали снижаться после резкого роста — в марте спотовая стоимость чипов объёмом 16 Г…
Intel разработала передовую память HB3DM…
Intel и SoftBank через совместную дочернюю компанию Saimemory разрабатывают альтернативу популярной памят…
Samsung выпустила память на 900 слоёв…
Компания Samsung приблизилась к созданию 1000-слойной V-NAND-памяти — компании уже удалось разработать пе…
Lexar рассказала на чём экономят геймеры…
Во время медиа-тура в штаб-квартире Lexar в Китае журналисты Digital Foundry пообщались с генеральным мен…
Цены на чипы памяти не снизятся до 2030 года…
Аналитики Korea Investment & Securities отмечают, что цены на память вряд ли снизятся в ближайшее время. …
Память DDR5 подорожает на 500% до конца года…
Постоянный рост цен на память DDR5 делает всё сложнее как апгрейд уже существующих компьютеров, так и сбо…
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
2006-2026
© MegaObzor