Longsys выпускает микросхемы памяти DRAM FORESEE DDR4

Компания Longsys недавно выпустила модуль FORESEE DDR4, в котором используется инкапсуляция с тонкой решеткой с 96 шариками (TFBGA). Производственный процесс продукта, скорость передачи, энергопотребление и надежность при высоких температурах - все это на ведущем в отрасли уровне.

DDR4 использует основные параметры и соответствует рыночным требованиям к хранению данных . FORESEE DDR4 использует инкапсуляцию TFBGA. По сравнению с предыдущим поколением DDR3L, DDR4 улучшила скорость передачи примерно на 30% с максимальной скоростью передачи 3200 млн транзакций в секунду. Продукт предлагает стандартную емкость 1 ГБ, необходимую для удовлетворения требований терминалов к хранению данных в отношении малой емкости и высокой надежности памяти. Собственная ATE расширяет возможности каждого продукта Основываясь на решении для тестирования микросхем интегральных схем (ASIC) 10 нм, Longsys применила свои нововведения и настройки к LS428, чтобы предоставить высокоскоростное, высокочастотное, крупномасштабное и маломощное автоматическое испытательное оборудование ( ATE) и поддерживать разработку тестовых программ. LS428 может одновременно тестировать до 4800 продуктов DDR4 на скорость (до 1600 МГц), работоспособность и высокотемпературное старение. Кроме того, обладая опытом в области инноваций, Longsys разработала тестовую розетку, которая может выполнять прямые высокотемпературные испытания, обеспечивая линейное повышение температуры от 0 ° C до 125 ° C. Это позволяет избежать хлопот, связанных с извлечением микросхемы со стенда и отправкой его в высокотемпературный бокс для тестирования, как это требуется при обычных высокотемпературных испытаниях. FORESEE DDR4 использует самый передовой 1α-нм техпроцесс. По сравнению с традиционным процессом 1x нм, процесс 1α нм дополнительно улучшает производительность продукта с управляемыми затратами. Кроме того, продукт имеет высокую тактовую частоту, которая обеспечивает эффективную скорость чтения и записи 3200 млн транзакций в секунду и обеспечивает высокоскоростное кэширование для обновления приложений в реальном времени.
Lexar рассказала на чём экономят геймеры…
Во время медиа-тура в штаб-квартире Lexar в Китае журналисты Digital Foundry пообщались с генеральным мен…
Goodram выпустит память DDR4 на 4 ГБ…
Ситуация на рынке оперативной памяти оказалась настолько ужасной, что компания Goodram решила возродить п…
Дефицит памяти сохранится до 2028 года…
Дефицит оперативной памяти, как ожидается, сохранится ещё несколько лет — признаков скорой стабилизации р…
Память CXMT оказалась не такой уж доступной…
Похоже, вокруг памяти компании CXMT поколения DDR5 возникли завышенные ожидания относительно её стоимости…
NVIDIA раскритиковала дефицит памяти на рынке…
Финансовый директор NVIDIA Коллетт Кресс считает, что многие компании сами виноваты в проблемах, вызванны…
Intel разработала передовую память HB3DM…
Intel и SoftBank через совместную дочернюю компанию Saimemory разрабатывают альтернативу популярной памят…
SanDisk выпустила SSD для PS5 на 8 ТБ за 3 тысячи долларов…
Сегодня компания SanDisk официально представила новую линейку твердотельных накопителей Optimus GX PRO 85…
Забастовка сотрудников Samsung ударит по рынку памяти…
Возможно, вы об этом не слышали, но на рынке памяти DRAM и NAND назревает серьёзный кризис. Причиной може…
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
2006-2026
© MegaObzor