Сегодня появилось первое изображение процессора AMD EPYC «Genoa» следующего поколения со снятым встроенным теплораспределителем (IHS). Это также первое изображение сложного кристалла процессора Zen 4 (CCD). На снимке видно целых двенадцать ПЗС и большой кремниевый sIOD. ПЗС-матрицы «Zen 4», созданные на основе техпроцесса TSMC N5 (5 нм EUV), по размеру заметно схожи с ПЗС-матрицами «Zen 3», построенными на техпроцессе N7 (7 нм), это означает, что количество транзисторов в ПЗС-матрице может быть значительно больше. выше, учитывая плотность транзисторов, полученную от 5-нм узла.

Сообщается, что каждая ПЗС-матрица «Zen 4» имеет площадь кристалла примерно на 8 мм² меньше, чем ПЗС-матрица «Zen 3», или примерно на 10% меньше. Что интересно то, что sIOD (серверный кристалл ввода-вывода) также меньше по размеру, его размер составляет 39 мм², по сравнению с 41 мм² sIOD «Рим» и «Милан». Это веская причина полагать, что AMD перешла на более новый производственный процесс, такой как TSMC N7 (7 нм), для создания sIOD. sIOD текущего поколения построен на Global Foundries 12LPP (12 нм). Подтверждением этой теории является тот факт, что sIOD "Genoa" имеет на 50 % более широкий ввод-вывод памяти (12-канальный DDR5), на 50 % больше портов IFOP (Infinity Fabric over package) для соединения с ПЗС-матрицами, а также тот факт, что коммутационная матрица PCI-Express 5.0 и DDR5, а также SerDes (сериализаторы/десериализаторы) могут иметь более высокий показатель TDP, которые вместе вынуждают AMD использовать меньший узел, такой как 7 нм, для sIOD. Ожидается, что AMD представит корпоративные процессоры EPYC «Genoa» во второй половине 2022 года.