Прорыв в разработке Nand-памяти

В настоящее время новейшие технологии позволяют стекировать 64-слойные ячейки в чип NAND, что, честно говоря, уже является огромным достижением. Ну, к 2021 году это число увеличится до 140 слоев или даже больше.
Эта новость связана с дорожной картой, опубликованной Applied Materials, которая была представлена ​​во время Международного семинара по памяти в Киото, сообщает Япония. Это не просто наклейка, слои также станут тоньше. Конечной целью, конечно же, является создание большего объема хранилища на каждый чип, который был тенденцией уже много лет. Сложенная NAND теперь составляет примерно 55 нм со всеми слоями, к 2021 году это должно быть около 45 нм.
Toshiba и Western Digital уже много работают над своим 96-слойным BiCS 3D NAND, который должен быть протестирован в течение следующих 12 месяцев. В этом году Samsung 5th gen 3D NAND также достигнет 96 уровней.

Samsung представит новую память GDDR7…
Если верить инсайдерам, компания Samsung планирует представить свои самые быстрые модули памяти GDDR7 сле…
Samsung готовит новое поколение памяти LPDDR5x для автомобил…
Сегодня южнокорейская компания Samsung официально объявила о планах по внедрению памяти новых форматов LP…
Kingston Fury Renegade DDR5 позволяет установить 256 ГБ ОЗУ …
В течение достаточно длительного времени настольные ПК поддерживали максимум 128 ГБ оперативной памяти (р…
Samsung повышает цены на чипы памяти до 20%…
Появилась весьма интересная информация о том, что компания Samsung планирует значительно повысить цены на…
Оперативная память подорожала на 20%…
Источники сообщают, что эффект от сокращения производства чипов памяти начал проявляться на рынках массов…
SK Hynix заняла 35% рынка DRAM…
Согласно информации аналитического агентства Business Korea, доля компании SK Hynix на рынке памяти DRAM …
На чипе AMD Ryzen 7 8700G поставлен рекорд разгона DDR5…
Известный оверклокер под ником SafeDisk установил новый рекорд по разгону памяти DDR5 на платформе AM5, и…
SK Hynix представит передовую память в 2025 году…
Сегодня компания SK Hynix подтвердила в своём блоге, что разработка новой высокоскоростной памяти HBM4 на…
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
Яндекс.Метрика
2006-2024
© MegaObzor