Компания Samsung приблизилась к созданию 1000-слойной V-NAND-памяти — компании уже удалось разработать первый прототип с 900 слоями. Это важный шаг в гонке с конкурентами на рынке памяти нового поколения. Samsung считается одним из главных пионеров в области полупроводниковой памяти и технология V-NAND компании уже давно входит в число лучших на рынке. И ещё в 2024 году производитель заявлял о планах выпустить 1000-слойную NAND-память с использованием новых сегнетоэлектрических материалов. Теперь, по данным ETNews, Samsung успешно реализовала 900-слойную V-NAND с помощью технологии CMB (Cell Multi-Bonding). Суть метода заключается в объединении двух 450-слойных стеков ячеек в одно устройство.

Благодаря такому количеству слоёв компания сможет значительно увеличить ёмкость накопителей — в первую очередь SSD, которые используются практически во всех сегментах рынка (от серверов и дата-центров до настольных ПК, ноутбуков и смартфонов). На пути к созданию 900-слойной памяти Samsung пришлось решить несколько серьёзных технических проблем. Одной из главных была деформация кремниевых пластин, возникающая при столь сложной многослойной конструкции. Теперь компания готова работать над памятью, которая состоит из 1000 слоёв, что даст существенный прирост ёмкости на один накопитель. В будущем это позволит существенно увеличить объёмы выпускаемой памяти, что очень важно для масштабирования искусственного интеллекта в обозримом будущем.