SK Hynix анонсировала 176-слойный чип флэш-памяти NAND

SK Hynix анонсировала 176-слойный чип флэш-памяти NAND. Особенностью новых чипов является новая конструкция Peripheral under Cell, она обеспечивает максимальную эффективность при уменьшении размера чипа NAND.

176-слойные микросхемы NAND являются третьим поколением технологии 4D SK Hynix и предлагают увеличение производительности обработки битов, скорость чтения ячейки и скорость передачи данных. Благодаря тому, что ячейка памяти делится на две, новая память обеспечивает повышенную скорость чтения из-за более высокого доступа.

Ожидается увеличение скорости передачи данных на 33%, по сравнению с предыдущим поколением.
Китайская YMTC обошла лидеров на рынке памяти…
Китайская компания YMTC продолжает стремительно наращивать позиции на рынке NAND Flash. Это подтверждают …
Samsung стала лидером по поставкам памяти…
Согласно данным исследовательской компании Omdia, мировая выручка на рынке DRAM достигла рекордных 97 мил…
Microsoft снизила рекомендации для Windows 11…
Операционная система Windows 11 всегда выигрывает от увеличения объёма оперативной памяти, однако продолж…
CXMT обогнала конкурентов на рынке ОЗУ…
Китайская компания CXMT стала самым быстрорастущим производителем оперативной памяти в мире по итогам вто…
Память CXMT оказалась не такой уж доступной…
Похоже, вокруг памяти компании CXMT поколения DDR5 возникли завышенные ожидания относительно её стоимости…
Обзор и тесты CBR CD5-US08G56M46-01. Самая доступная DDR5 с …
За последнее время цены на оперативную память увеличился в разы, это повлияло как на самостоятельные сбор…
Память DDR5 подорожает на 500% до конца года…
Постоянный рост цен на память DDR5 делает всё сложнее как апгрейд уже существующих компьютеров, так и сбо…
Samsung выпустила память на 900 слоёв…
Компания Samsung приблизилась к созданию 1000-слойной V-NAND-памяти — компании уже удалось разработать пе…
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
2006-2026
© MegaObzor