SK Hynix анонсировала 176-слойный чип флэш-памяти NAND

SK Hynix анонсировала 176-слойный чип флэш-памяти NAND. Особенностью новых чипов является новая конструкция Peripheral under Cell, она обеспечивает максимальную эффективность при уменьшении размера чипа NAND.

176-слойные микросхемы NAND являются третьим поколением технологии 4D SK Hynix и предлагают увеличение производительности обработки битов, скорость чтения ячейки и скорость передачи данных. Благодаря тому, что ячейка памяти делится на две, новая память обеспечивает повышенную скорость чтения из-за более высокого доступа.

Ожидается увеличение скорости передачи данных на 33%, по сравнению с предыдущим поколением.
В сеть слили накопитель Seagate FireCuda X1070…
После того, как SanDisk представила новую схему наименования для NVMe SSD, похоже, и Seagate готовится из…
Цены на оперативную память DDR5 постепенно снижаются…
Розничные цены на DDR5 в Германии наконец подали первые признаки снижения после резкого роста в последние…
SK Hynix разработала новую память LPDDR6…
Сегодня компания SK Hynix официально объявила о разработке новых модулей памяти LPDDR6 ёмкостью 16 ГБ, со…
Corsair обновила упаковку ОЗУ ради прозрачности…
Компания Corsair без лишнего шума опубликовала запись в блоге, в которой рассказала об обновлении упаковк…
Qualcomm и AMD добрались до ОЗУ в формате SOCAMM2…
По сообщениям отраслевых источников, Qualcomm и AMD рассматривают возможность интеграции памяти SOCAMM2 в…
Цены на DDR4 впервые за долгое время упали…
Цены на DDR4 наконец начали снижаться после резкого роста — в марте спотовая стоимость чипов объёмом 16 Г…
Samsung повысит цены на свою память…
NAND-память компании Samsung, по информации инсайдеров, значительно подорожает. Южнокорейский гигант, как…
Оперативная память DDR3 вновь набирает популярность…
Если вам когда-либо хотелось снова окунуться в атмосферу ПК начала 2010-х, то текущий рынок компьютеров г…
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
2006-2026
© MegaObzor