SK Hynix анонсировала 176-слойный чип флэш-памяти NAND

SK Hynix анонсировала 176-слойный чип флэш-памяти NAND. Особенностью новых чипов является новая конструкция Peripheral under Cell, она обеспечивает максимальную эффективность при уменьшении размера чипа NAND.

176-слойные микросхемы NAND являются третьим поколением технологии 4D SK Hynix и предлагают увеличение производительности обработки битов, скорость чтения ячейки и скорость передачи данных. Благодаря тому, что ячейка памяти делится на две, новая память обеспечивает повышенную скорость чтения из-за более высокого доступа.

Ожидается увеличение скорости передачи данных на 33%, по сравнению с предыдущим поколением.
Оперативная память за три месяца подорожала вдвое…
Цены на оперативную память DDR5 достигли исторического максимума — комплекты объёмом 16 и 32 ГБ подорожал…
Стоимость оперативной памяти вскоре взлетит до небес…
Искусственный интеллект уже серьёзно изменил баланс в цепочке поставок, и теперь, по данным сразу несколь…
Оверклокер поставил новый рекорд разгона DDR5…
Соревнования по разгону оперативной памяти DDR5 становятся всё более ожесточёнными — энтузиасты буквально…
SK Hynix представила первую в мире 321-слойную память…
SK Hynix объявила о завершении разработки и старте массового производства 321-слойной QLC NAND-памяти объ…
Оверклокер поставил рекорд разгона DDR5-памяти…
Вчера очередной энтузиаст-оверклокер сумел побить недавно установленный мировой рекорд скорости памяти DD…
МегаОбзор
ЭЛ № ФС 77 - 68301. Выходные данные СМИ МегаОбзор
2006-2025
© MegaObzor