SK Hynix анонсировала 176-слойный чип флэш-памяти NAND. Особенностью новых чипов является новая конструкция Peripheral under Cell, она обеспечивает максимальную эффективность при уменьшении размера чипа NAND.

176-слойные микросхемы NAND являются третьим поколением технологии 4D SK Hynix и предлагают увеличение производительности обработки битов, скорость чтения ячейки и скорость передачи данных. Благодаря тому, что ячейка памяти делится на две, новая память обеспечивает повышенную скорость чтения из-за более высокого доступа.

Ожидается увеличение скорости передачи данных на 33%, по сравнению с предыдущим поколением.