SK Hynix анонсировала первые в мире 238-слойные чипы NAND

Компания SK Hynix анонсировала первые в мире 238-слойные чипы NAND. 238-слойная микросхема TLC 4D NAND емкостью 512 Гбит/с - это следующее поколение микросхем, после разработки 176-слойных микросхем NAND в декабре 2020 года. Как было объявлено на Flash Memory Summit 2022 в Санта-Кларе, массовое производство памяти начнется только в первом полугодии 2023 года. В 2023 году SK Hynix также планирует представить 238-слойные продукты емкостью 1 ТБ.

Новые чипы получили меньшую площадь ячейки на единицу и более высокую эффективность, требуя на 21% меньше энергии для чтения данных. Более того, их уменьшенные размеры позволяют SK Hynix производить больше чипов из пластины, повышая общую производительность на 34% по сравнению со 176-слойной NAND. 238-слойные чипы NAND впервые появятся на потребительских твердотельных накопителях в 2023 году. SK Hynix также планирует выпуск 238-слойного продукта, который сможет передавать данные со скоростью 2,4 Гбит/с, что на 50% больше, чем у предыдущего поколения.